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半導體工藝制程在進入32nm以下的節點后,每一步都歷盡艱辛,傳統的工藝技術已經無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后,又帶來了全新的GAA工藝;而5nm之后的時代,全新GAA技術有望延續現有半導體技術路線的壽命。
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美國對EDA軟件實施新的出口管制 昨天美國又啟動了新一輪的EDA軟件出口管制,美國商務部對設計GAAFET(全柵場效應晶體管)結構集成電路所必須的EDA...
6月12日,國際科技界和商界再次因一則新聞而震動。據國外權威媒體報道,美國政府正在考慮對中國實施新的出口限制措施,這一措施直指當前人工智能(AI)領域的...
加里表示:“半導體顧客的力量、性能、大小、費用、上市時間等ppact為中心,展開了激烈的競爭,因此應用材料擁有多種產品組合,gaa和背部供電,和新的一...
三星與Arm攜手,運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能
三星繼續推進工藝技術的進步,近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸,降低供電電壓,增強...
三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統
據外媒報道,三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(SoC),預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。
據韓媒報道,三星電子設備解決方案部新任foundry業務總裁兼總經理韓真晚(Han Jinman),在近期致員工的內部信中明確提出了三星代工部門的發展策...
據百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國政府正考慮深化對華出口管制措施,旨在阻礙中國獲取先進的全柵場效應晶體管(GAA)技術及高帶寬存儲器(HBM)技術...
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