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半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

在半導(dǎo)體行業(yè)，每一次制程工藝的突破都如同一場科技革命，它不僅重新定義了芯片性能的邊界，更為電子設(shè)備的智能化、高效能運(yùn)算等領(lǐng)域注入了強(qiáng)大的活力。而就在近期...

2025-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSMC GAA 358 0

三星芯片代工新掌門：先進(jìn)與成熟制程并重

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策...

2024-12-10 標(biāo)簽：芯片制程 GAA 614 0

2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級的晶圓廠而言，GAA和背面供電似乎都成了逃不開的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿足芯片性...

2024-06-14 標(biāo)簽：供電技術(shù)2nm GAA 4192 0

美國擬對中國實(shí)施尖端AI芯片技術(shù)出口限制

6月12日，國際科技界和商界再次因一則新聞而震動。據(jù)國外權(quán)威媒體報(bào)道，美國政府正在考慮對中國實(shí)施新的出口限制措施，這一措施直指當(dāng)前人工智能（AI）領(lǐng)域的...

2024-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 人工智能 1009 0

美國或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對華出口

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國政府正考慮深化對華出口管制措施，旨在阻礙中國獲取先進(jìn)的全柵場效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)...

2024-06-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 HBM GAA 412 0

三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。

2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子 SoC芯片 EDA軟件 857 0

Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游，半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...

2024-05-02 標(biāo)簽：應(yīng)用材料 ASML 季度財(cái)報(bào) 4253 0

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1442 0

三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)...

2024-02-22 標(biāo)簽：AI芯片 GAA 三星 916 0

Arm和三星電子將合作開發(fā)2nm制程

與Arm擴(kuò)大合作是否會對三星電子的代工業(yè)務(wù)帶來提振，備受關(guān)注。

2024-02-21 標(biāo)簽：arm 三星電子晶圓 1300 0

三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好...

2023-11-24 標(biāo)簽：cpu gpu 晶體管 930 0

3D時(shí)代值得關(guān)注的趨勢

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM 晶體管場效應(yīng)晶體管 654 0

三星為新客戶代工3nm服務(wù)器芯片：GAA結(jié)構(gòu)，SiP封裝

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶簽訂了利用gaa（全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm基礎(chǔ)2.5d服務(wù)器芯片設(shè)計(jì)合同，并委托三...

2023-10-17 標(biāo)簽：SiP 服務(wù)器 GAA 1191 0

Intel foundry能否實(shí)現(xiàn)趕超？

自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以來，他在技術(shù)實(shí)現(xiàn)和財(cái)務(wù)業(yè)績方面一直許愿不斷，卻無法達(dá)成目標(biāo)。如果Gelsinger不盡快取得實(shí)...

2023-10-12 標(biāo)簽：加速器晶體管 GAA 1167 0

應(yīng)用材料CEO：關(guān)注中國廠商發(fā)展，看好先進(jìn)制程機(jī)遇

　加里表示：“半導(dǎo)體顧客的力量、性能、大小、費(fèi)用、上市時(shí)間等ppact為中心，展開了激烈的競爭，因此應(yīng)用材料擁有多種產(chǎn)品組合，gaa和背部供電，和新的一...

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體核心技術(shù)GAA 932 0

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上！

半導(dǎo)體技術(shù)的未來通常是通過光刻設(shè)備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題幾乎永無休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

2023-07-28 標(biāo)簽：PTFE 半導(dǎo)體技術(shù)car 1693 0

背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。

2023-07-26 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 NAND閃存 4333 0

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始，首個(gè)客戶是中國礦機(jī)芯片公司

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。

2023-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子 ASIC芯片 2424 0

GAA器件結(jié)構(gòu)工藝和挑戰(zhàn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-13 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)GAA 1621 0

全環(huán)繞柵極晶體管將如何改變半導(dǎo)體行業(yè)

針對微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈，這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)...

2022-12-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體管 1358 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
無人駕駛

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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
1024

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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動或自負(fù)載工況下，對主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動態(tài)分析等。
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會及科技創(chuàng)新咨詢委員會相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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