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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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場效應管(fet)是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點...
由于擴展 CPP 和 M2P 變得越來越困難,設計技術協同優化 (DTCO) 在使用減少軌道等技術進行擴展時變得越來越重要。
這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結)。
在任何電力電子轉換器中,熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后,工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LM...
比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低,SiC MOSFET似乎占據了優勢,但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比,...
高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。
一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器
這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅(Si)襯底以及覆蓋其上的二氧化硅(SiO2)介電層組成的p型硅片(Si/SiO2)制備。
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