德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
uboot默認(rèn)是支持執(zhí)行應(yīng)用程序的，就像引導(dǎo)內(nèi)核一樣，我們也可以自己寫(xiě)一個(gè)應(yīng)用程序，讓uboot啟動(dòng)時(shí)引導(dǎo)。
2022-11-16 14:00:48754 有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
設(shè)計(jì)得低，開(kāi)啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過(guò)改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開(kāi)啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
設(shè)計(jì)得低，開(kāi)啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過(guò)改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開(kāi)啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-04-22 06:20:22
更高溫度下的工作，可以簡(jiǎn)化散熱器等冷卻機(jī)構(gòu)。如上所述，可使用
SiC來(lái)
改進(jìn)效率或應(yīng)對(duì)更大功率。而以現(xiàn)狀的電力情況來(lái)說(shuō)，通過(guò)使用
SiC可實(shí)現(xiàn)顯著小型化也是
SiC的一大優(yōu)點(diǎn)。不僅直接節(jié)能，與放置場(chǎng)所和運(yùn)輸?shù)?/div>
2018-11-29 14:35:23
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
各類(lèi)應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問(wèn)市以來(lái)，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2018-10-29 08:51:19
描述該設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 200VAC-400VAC 的輸入范圍。24V 的輸入由額定最高 50W 的功率生成。特性高壓交流
2022-09-28 06:02:14
功率電子轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)人員不斷努力以最高效率實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換器功率密度?？紤]到減少二氧化碳排放和負(fù)責(zé)任地使用電能和材料的共同目標(biāo)，這一點(diǎn)變得更加重要。為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的改進(jìn)，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-02-20 15:32:06
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
設(shè)計(jì)得低，開(kāi)啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過(guò)改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開(kāi)啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來(lái)還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
`描述此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
arm應(yīng)用程序的例子
2006-03-27 23:53:15
80 JSF應(yīng)用程序的結(jié)構(gòu):JSF 將表示和應(yīng)用程序行為明確分開(kāi)，JSF是一種事件驅(qū)動(dòng)型的組件模型,請(qǐng)求處理生命周期包括6個(gè)階段,JSF頁(yè)面指向Bean屬性，業(yè)務(wù)邏輯包含在Bean實(shí)現(xiàn)代碼中,JSF提供
2008-12-08 11:06:2223 基于CompactRIO的車(chē)載數(shù)據(jù)記錄儀參考應(yīng)用程序
本參考應(yīng)用程序討論了使用CompactRIO硬件的用于獨(dú)立嵌入式數(shù)據(jù)記錄儀的軟件解決方案。應(yīng)用程序的特性專(zhuān)為車(chē)載數(shù)
2010-03-26 17:27:2336
鍵盤(pán)應(yīng)用程序設(shè)計(jì)
鍵盤(pán)使用的編碼
2009-06-12 23:11:21884 
鼠標(biāo)應(yīng)用程序設(shè)計(jì) 用匯編語(yǔ)言編寫(xiě)的鼠標(biāo)和鍵盤(pán)應(yīng)用程序。 在程序執(zhí)行后屏幕上顯示包括鼠標(biāo)和鍵盤(pán)的狀態(tài)。當(dāng)用戶(hù)移動(dòng)鼠標(biāo)時(shí)
2009-06-12 23:17:091188 Altium Designer 版本10的發(fā)布為POSIX多線(xiàn)程庫(kù)的支持帶來(lái)了一系列改進(jìn) 允許多線(xiàn)程應(yīng)用程序以一種直觀(guān)流暢的方式調(diào)試。 線(xiàn)程 命名 在一個(gè)多線(xiàn)程應(yīng)用程序中支持的線(xiàn)程的最大數(shù)量介于8和
2012-05-15 12:49:511219 
GPS基本知識(shí)介紹以及應(yīng)用程序設(shè)計(jì)
非常實(shí)用的資料
2015-12-21 15:00:310 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM應(yīng)用程序構(gòu)架02時(shí)間片輪詢(xún)模板
2016-07-08 11:08:1912 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM應(yīng)用程序構(gòu)架01順序執(zhí)行模板
2016-07-08 11:08:196 基于windows的多鼠標(biāo)應(yīng)用程序設(shè)計(jì)_劉沛騫
2017-03-16 08:00:000 傳統(tǒng)的WordNet應(yīng)用程序編程接口（API）在使用時(shí)是基于文件操作的，每執(zhí)行一次API都需要到庫(kù)文件中查找，因此導(dǎo)致基于API操作的文本分析與相似度計(jì)算耗時(shí)較為嚴(yán)重。因此，提出一種WordNet
2017-12-29 17:02:520 發(fā)光微器件應(yīng)用程序
2018-05-09 16:37:544 創(chuàng)建 UEFI LCD 應(yīng)用程序、運(yùn)行 LCD 應(yīng)用程序（第二部分）
2018-06-22 01:50:002793 創(chuàng)建 UEFI LCD 應(yīng)用程序、運(yùn)行 LCD 應(yīng)用程序（第一部分）
2018-06-22 04:24:003152 作為舊金山WebXR周的一部分，微軟和三星聯(lián)手發(fā)起了為期48小時(shí)的WebXR hackathon挑戰(zhàn)。該活動(dòng)呼吁那些有興趣開(kāi)發(fā)虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)或混合現(xiàn)實(shí)(MR)的沉浸式web應(yīng)用程序的人，利用web構(gòu)建令人驚嘆的體驗(yàn)。
2018-07-04 09:30:001782 Santiprabhob說(shuō)：“沙箱是金融機(jī)構(gòu)和金融科技公司在產(chǎn)品和服務(wù)向公眾開(kāi)放之前，在安全的環(huán)境下測(cè)試新技術(shù)和操作標(biāo)準(zhǔn)的平臺(tái)。”“（sic）審查的技術(shù)包括……跨境支付、供應(yīng)鏈融資和文件認(rèn)證的區(qū)塊鏈應(yīng)用程序?！?
2018-07-15 11:22:00721 DApps是分散式應(yīng)用程序的縮寫(xiě)。這些應(yīng)用程序實(shí)際上不應(yīng)該對(duì)最終用戶(hù)進(jìn)行區(qū)分。關(guān)于DApps的重要之處在于后端是如何處理數(shù)據(jù)的。
2018-09-05 14:37:193327 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是幾種c語(yǔ)言程序的排序包括應(yīng)用程序好資料免費(fèi)下載包括了：堆排序，改進(jìn)冒泡排序，歸并排序，簡(jiǎn)單插入排序，簡(jiǎn)單選擇排序，快速排序，冒泡排序，希爾排序
2018-09-29 08:00:006 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 Chrome 85是完善的64位應(yīng)用程序，它將為桌面帶來(lái)許多性能和安全性改進(jìn)。快速比較仍然是32位應(yīng)用程序的Chrome 83穩(wěn)定版和Octane 2.0基準(zhǔn)測(cè)試中的Chrome 85 Dev 64位，性能顯著提高-15515與16785。
2020-07-10 14:58:354211 根據(jù)AndroidPolice的說(shuō)法，亞馬遜已更新了Alexa應(yīng)用程序。對(duì)主屏幕進(jìn)行了更改，用戶(hù)可以在其中快速訪(fǎng)問(wèn)該應(yīng)用程序的常用功能。最重要的是，更新后，該應(yīng)用程序更快，更易于使用。
2020-07-28 10:52:062076 眾所周知，攻擊者往往會(huì)使用用戶(hù)移動(dòng)設(shè)備上運(yùn)行的應(yīng)用程序來(lái)攻擊后端的系統(tǒng)，比如攻擊者利用移動(dòng)操作系統(tǒng)和你的應(yīng)用程序中的漏洞來(lái)監(jiān)視你，獲取私人數(shù)據(jù)甚至竊取資金。為了應(yīng)對(duì)這種情況，許多移動(dòng)應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)人員
2020-08-26 16:02:113976 當(dāng)前，許多替代郵件應(yīng)用程序不符合要求的標(biāo)準(zhǔn)，但可以繼續(xù)工作以被接受。以下列出了滿(mǎn)足安全要求的應(yīng)用程序，這些應(yīng)用程序可以在iOS 14和iPadOS 14中作為默認(rèn)應(yīng)用程序使用。
2020-10-19 16:04:122278 許多應(yīng)用程序需要從 RAM 中執(zhí)行代碼，例如出于安全原因或例如在引導(dǎo)加載程序用于閃存自編程的情況下。通常這樣的應(yīng)用程序必須分為兩部分： 將從閃存執(zhí)行的主要部分。這部分代表主要應(yīng)用程序，例如引導(dǎo)加載
2021-06-20 18:22:072756 
Lumion應(yīng)用程序免費(fèi)下載
2020-12-11 14:39:0446 在本次峰會(huì)上，中國(guó)電科五十五所高級(jí)工程師劉奧將發(fā)表《車(chē)用SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講。
2021-03-09 10:54:081945 無(wú)線(xiàn)遙控應(yīng)用程序與仿真。 ?
2021-03-18 16:12:5115 顫振試驗(yàn)應(yīng)用程序資源下載
2021-04-20 10:38:587 如何使用DTK開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序？
2021-07-06 10:16:093 UnitedSiC SiC FET用戶(hù)手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1317 大致應(yīng)用程序的架構(gòu)有三種： 1. 簡(jiǎn)單的前后臺(tái)順序執(zhí)行程序，這類(lèi)寫(xiě)法是大多數(shù)人使用的方法，不需用思考程序的具體架構(gòu)，直接通過(guò)執(zhí)行順序編寫(xiě)應(yīng)用程序即可。 2. 時(shí)間片輪詢(xún)法，此方法是介于順序執(zhí)行
2021-10-29 10:36:0811 基于UDP協(xié)議的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用程序（UDP-Socket）前兩篇文章介紹了基于TCP/IP協(xié)議的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用程序。嵌入式Linux應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)-（7）TCP-IP網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用程序（TCP-Client
2021-11-02 12:21:2634 UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 幾十年來(lái)，基于硅的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2008 年開(kāi)始商用，采用碳化硅 (SiC
2022-08-05 08:05:00962 
安全應(yīng)用程序指南 產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
2022-08-25 10:29:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的300VDC 800VDC輸入54W 4通道輸出PSR反激設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:59:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SiC FET的200VAC至400VAC輸入、24V 50W輸出PSR反激參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 09:26:112 UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666 高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857 高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17665 在由兩部分組成的系列文章的第一部分中，我們將討論現(xiàn)代分布式物聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)、部署和持續(xù)支持的挑戰(zhàn)。具體解決的是跨越我們所說(shuō)的技術(shù)“孤島”的開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)，以及跨云、霧和邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)安全可靠部署以滿(mǎn)足現(xiàn)代應(yīng)用程序需求的挑戰(zhàn)。
2022-11-29 11:40:47674 
OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
在電源轉(zhuǎn)換這一語(yǔ)境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 uboot默認(rèn)是支持執(zhí)行應(yīng)用程序的，就像引導(dǎo)內(nèi)核一樣，我們也可以自己寫(xiě)一個(gè)應(yīng)用程序，讓uboot啟動(dòng)時(shí)引導(dǎo)。
2023-02-17 16:01:57994 
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開(kāi)關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開(kāi)啟）和高壓額定值。
2023-02-21 09:26:42417 
Kiuwan是一個(gè)開(kāi)發(fā)安全平臺(tái)，開(kāi)發(fā)人員和安全團(tuán)隊(duì)使用它來(lái)快速開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序，同時(shí)保持總體安全性。
2023-02-28 10:35:05360 Mike Zhu，Qorvo 高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用工程師 EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。 引言 在功率水平
2023-03-22 20:30:03338 所有類(lèi)型的電動(dòng)汽車(chē)（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車(chē)和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)實(shí)現(xiàn)，許多非汽車(chē)或非車(chē)輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:501694 機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過(guò)采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問(wèn)題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400 
在數(shù)據(jù)科學(xué)、機(jī)器學(xué)習(xí)、建模和其他生產(chǎn)性任務(wù)中使用 GPU 進(jìn)行一般處理的作用越來(lái)越大，這反過(guò)來(lái)又促使改進(jìn)硬件迎合這些應(yīng)用程序，并提供更好的軟件支持。NVIDIA 開(kāi)發(fā)的張量核心極大地改進(jìn)了訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和在現(xiàn)實(shí)世界、實(shí)時(shí)應(yīng)用程序以及各個(gè)領(lǐng)域的其他機(jī)器學(xué)習(xí)任務(wù)中執(zhí)行 AI 推理中的矩陣乘法。
2023-06-14 09:36:57752 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開(kāi)關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
由于黑客越來(lái)越多地將目標(biāo)對(duì)準(zhǔn)消費(fèi)者和企業(yè)移動(dòng)應(yīng)用程序，您的應(yīng)用程序可能會(huì)給您的組織帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。例如，黑客可以使用反編譯器或反匯編器對(duì)您的安卓或iOS應(yīng)用程序進(jìn)行逆向工程，調(diào)試你的應(yīng)用程序，在它們執(zhí)行時(shí)進(jìn)行檢查，甚至捕獲應(yīng)用程序和服務(wù)器之間的通信。
2023-07-06 10:41:18325 
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250 
本文作者：Qorvo應(yīng)用工程師Mike Zhu SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。此類(lèi)器件具有超快的開(kāi)關(guān)速度
2023-09-20 18:15:01233 
文檔對(duì)AN1292軟件與motorBench?開(kāi)發(fā)套件隨附的MC應(yīng)用程序框架之間的差異進(jìn)行了分 析，旨在回顧全新MC應(yīng)用程序框架代碼相對(duì)于AN1292的參考應(yīng)用筆記軟件的改進(jìn)和限制。
2023-09-22 17:37:252 FET430UIF V3固件降級(jí)程序V3 ---> ?V2
2023-10-10 11:47:330 SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
本文詳細(xì)介紹了典型的生產(chǎn)環(huán)境的 CRUD 應(yīng)用程序從 Flask 到 Quart 的轉(zhuǎn)換，并展示相關(guān)的性能改進(jìn)優(yōu)勢(shì)。 將這個(gè) Flask-pyscopg2 應(yīng)用程序升級(jí)到 Quart-asyncpg
2023-11-01 16:23:08284 
.NET 7 首次引入了以原生 AOT (Native AOT)?發(fā)布應(yīng)用程序的選項(xiàng)?；诖颂匦?，開(kāi)發(fā)者使用原生 AOT 發(fā)布應(yīng)用程序可以創(chuàng)建一個(gè)完全獨(dú)立 (self-contained) 的版本
2023-11-14 11:53:52758 
還沒(méi)使用SiC FET？快來(lái)看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！
2023-11-29 16:49:23277 
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155 
SiC – 速度挑戰(zhàn)
2023-12-04 16:46:42159 
UnitedSiC SiC FET用戶(hù)指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34191 
ava是一種面向?qū)ο蟮木幊陶Z(yǔ)言，廣泛用于開(kāi)發(fā)各種類(lèi)型的應(yīng)用程序。在開(kāi)發(fā)Java應(yīng)用程序時(shí)，有一些基本步驟需要遵循，以確保應(yīng)用程序的正確性和可靠性。 1.確定需求：這是開(kāi)發(fā)任何應(yīng)用程序的第一步，包括
2023-11-28 16:52:01501 Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無(wú)法超越的。
2024-02-21 14:40:5266 
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