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盤點MOS管傳輸特性曲線的細微之處

2023年01月29日 09:21 硬件微講堂 作者: 用戶評論(0

咱繼續盤MOS管。

一個選擇題

照例,先拋出一個選擇題:如下兩幅圖所示,兩組Id-Vgs傳輸特性曲線分別對應哪個管子?圖1對應(? ),圖2對應(? )

A:BJT;

B:N溝道-增強型-MOS管;

C:N溝道-耗盡型-MOS管;

D:N溝道-JFET;

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提示1:忽略3個差異點:①忽略Id的大?。ú挥霉?.3A還是5A,不重要);②忽略傳輸特性曲線的弧度及斜率(不是今天討論的重點);③忽略Vds的數值(不用管是15V,還是5V,不重要)。

提示2:注意過零點。

在這里,二火可以拍著胸脯講:這個問題你在網上很難搜得到。估計有一部分工程師(可能是多數)不知道兩者的區別及其代表的含義,即便是已經給出了提示。

FET的傳輸特性曲線

想要弄清楚上面的問題,我們首先得知道場效應管的傳輸特性曲線是什么。

場效應管(FET)的柵極輸入端基本沒有電流,如此也沒有必要研究輸入電壓與電流的關系,所以我們很少討論FET的輸入特性。但是FET是壓控型器件,可以通過柵-源電壓Vgs來控制漏極電流Id,所以就有了轉移特性:

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前提:漏-源電壓Vds保持一個固定值。這個數值,不同廠家不同型號在定義轉移特性曲線時,可能不同。

Nexperia的PMX100UNE(MOS管-N溝道-增強型)為例,如下圖所示,Vds=5V。而上面問題中給出的圖2,Vds=15V。

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值得一提的是:上圖提供的Id-Vgs傳輸特性曲線和上面問題中給出的曲線都不一樣。你再考慮下是為什么?

尋找差異

說完傳輸特性曲線,我們再看看問題中圖片的差異點。

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如上圖綠色箭頭所指,圖1中在Vgs=0V時,Id=0.21A;在Vgs>0V時,Id繼續增大;圖2中在Vgs=0V時,Id=5A;沒有Vgs>0V的情況。

根據題目提示,忽略Id的大小差異和曲線弧度。那就剩下:

①圖1在Vgs>0時,Id繼續增大;

②圖2在Vgs>0時,沒有Id的數值。

為什么圖2中沒有展現Vgs>0的情況?是原本就是沒有,還是省略了?如果不知道,請繼續往下看。

3種傳輸特性曲線

圖3,Vgs都是正值,給出的是N溝道-增強型-MOS管的傳輸特性曲線。而我們知道,MOS管不光有增強型,還有耗盡型。

圖1,Vgs一部分是負值,一部分是正值,給出的就是N溝道-耗盡型-MOS管的傳輸特性曲線。

圖2,Vgs都是負值,給出的是N溝道-JFET(結型場效應管)的傳輸特性曲線。尤其要說明下,JFET的Vgs不能為正,必須為負電壓。

這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構造,如下圖所示,柵極和源極之間就是一個耗盡層(PN結)。如果給柵-源之間Vgs加上正電壓,PN結正偏,柵-源極會直接導通,根本起不到控制作用。所以,N-JFET的Vgs必須為負電壓。

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公布答案

圖1對應的是選項C,是N溝道-耗盡型-MOS管的轉移特性,圖2對應的是選項D,是N溝道-JFET的轉移特性。耗盡型NMOS的Vgs可以大于0,但N-JFET的Vgs只能為負電壓。

圖2中沒有展現Vgs>0的情況,不是省略,而是因為Vgs不允許大于0,這是區分N溝道耗盡型MOS和N溝道JFET的關鍵點。




審核編輯:劉清

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( 發表人:劉芹 )

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