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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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一文讀懂場效應(yīng)管的分類、結(jié)構(gòu)以及原理

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，因而得名。

2017-03-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管 FET 13.2萬 0

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2023-11-01 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管 NVM 3.4萬 0

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場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。

2023-07-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源 FET 場效應(yīng)晶體管 2.7萬 0

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2023-06-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 FET 2.2萬 2

IGBT的工作原理和退飽和 IGBT的電感短路和直通短路

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電壓控制電路中幾種FET的使用方法

LIS公司生產(chǎn)各種FET（場效應(yīng)晶體管），特別值得一提的是他們有各種匹配雙器件產(chǎn)品，這種匹配器件封裝有其獨(dú)特優(yōu)勢。

2018-07-10 標(biāo)簽：控制電路 FET 1.9萬 0

聊聊電池防反接的那些事：你選對了嗎？

在汽車裝配、保養(yǎng)與維修的常規(guī)操作中，倘若不慎將汽車電瓶電源線反接，一系列精密的控制器極易遭受反向電壓的沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致不可逆轉(zhuǎn)的損害。

2024-05-29 標(biāo)簽：二極管控制器電池電壓 1.7萬 0

場效應(yīng)管的工作原理、放大電路及作用

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—J...

2023-02-24 標(biāo)簽：放大電路場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0

FLASH器件特性 FLASH操作的電路原理詳解

Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲單元來存儲數(shù)據(jù)的，浮...

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一文詳解MOS管的工作原理

mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...

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GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡單介紹一下GA...

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MOS管的分類增強(qiáng)型和耗盡型MOS管介紹

場效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣...

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FET差分式放大電路的工作原理

Vi1和Vi2大小相等，相位相反，使Id1增加量和Id2減小量抵消，流過恒流源的變化電流為零，所以在電流源內(nèi)阻r0上交流壓降為零，可看為交流短路到地。

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場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)...

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如何用雙MOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET 連接器負(fù)載開關(guān) 7818 0

淺談結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性

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2021-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 場效應(yīng)晶體管 7483 0

短路保護(hù)的定義和實現(xiàn)方式

引言：短路保護(hù)對于確保輸出電源的可靠性至關(guān)重要，短路故障可能會導(dǎo)致電源故障，甚至?xí)?dǎo)致系統(tǒng)損壞。短路保護(hù)最常見的實現(xiàn)方式是通過使用限流來控制輸出，因此了...

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FET的分類和電路符號

下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖，左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過漏極和源極之間的部分稱為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管（PN結(jié)），所以...

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FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過在半導(dǎo)體上施加一個電場來改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 7375 0

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2023-05-25 標(biāo)簽：放大電路場效應(yīng)管晶體管 7238 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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