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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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N通道和P通道場效應晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關重要的半導體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機的信...
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于...
2022-07-26 標簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1788 0
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,其主要通過改變柵極電場的大小來控制源漏通道的電阻,進而...
引言:理想二極管和ORing控制器通過監(jiān)測外部FET提供反極性保護,顯著降低功率損耗,并阻斷反向電流,每當發(fā)生瞬態(tài)事件時,控制器就會監(jiān)控和調整外部FET...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:開關參數(shù)
另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。
首先,我們必須更好地理解電池充電器功能:動態(tài)電源管理(DPM)和動態(tài)電源路徑管理(DPPM)。這兩個功能與充電拓撲結構密切相關,同樣重要。不同的拓撲結構...
許多關鍵應用要求能夠測量到非常小的電流,如 pA量級或更小的電流。這些應用包括測定FET的柵極漏電流,測試靈敏的納米電子器件,以及測量絕緣器件和電容的漏電流。
2024-01-18 標簽:放大器測量系統(tǒng)FET 1634 0
車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會給出一顆元件的相關參數(shù)值和曲線。在設計初期選擇元件時,通過這些參數(shù)可以評估某顆元件是否適合應用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測試條件(...
未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應用領...
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