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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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中國(guó)希望并將擁有自己的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(chǎng)
中國(guó)正在進(jìn)入硬盤(pán)組件生產(chǎn)領(lǐng)域,華為和創(chuàng)新科存儲(chǔ)技術(shù)有限公司生產(chǎn)的是使用硬盤(pán)、DRAM和閃存的服務(wù)器和存儲(chǔ)陣列。然而中國(guó)本身并沒(méi)有為企業(yè)級(jí)設(shè)備生產(chǎn)核心基本...
在芯片供應(yīng)過(guò)剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來(lái)一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開(kāi)始大幅削減芯片產(chǎn)量,導(dǎo)致芯片庫(kù)存資...
存儲(chǔ)價(jià)格低迷,三星2023年?duì)I業(yè)利益率恐跌至12年最低水平
三星電子2023年?duì)I業(yè)利益率恐時(shí)隔12年跌至個(gè)位數(shù)。
2018年DRAM供不應(yīng)求 單價(jià)漲逾32%創(chuàng)歷年來(lái)新高
據(jù)報(bào)道,DRAM去年經(jīng)歷了價(jià)量飆揚(yáng),預(yù)計(jì)今年DRAM還是供不應(yīng)求,平均銷(xiāo)售單價(jià)仍會(huì)漲逾32%。此趨勢(shì)將有望催生自駕車(chē)、機(jī)器人等終端端載具需求。今年的銷(xiāo)售...
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Transist...
福州市對(duì)美光發(fā)出“訴中禁令” 禁止其部分閃存SSD和內(nèi)存條DRAM在中國(guó)銷(xiāo)售
根據(jù)原告福建晉華官網(wǎng)與臺(tái)灣聯(lián)電各自發(fā)布的公告,福州市中級(jí)人民法院裁定美光半導(dǎo)體銷(xiāo)售(上海)有限公司立即停止銷(xiāo)售、進(jìn)口十余款Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)、...
三星電子在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
近日,三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,以加強(qiáng)其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D D...
美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來(lái)發(fā)展
美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗...
搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能 適用于車(chē)載、工業(yè)設(shè)備的高可靠性DRAM系列開(kāi)售
本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶(hù)系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外,引線(xiàn)框架采用焊...
HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
HBM內(nèi)存市場(chǎng)旺盛,2025年產(chǎn)能與市場(chǎng)份額將攀升
該報(bào)告顯示,2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%,但預(yù)計(jì)今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場(chǎng)份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...
中國(guó)存儲(chǔ)鐵三角逐步成形 急建廠(chǎng)力拼2018量產(chǎn)
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)價(jià)格血戰(zhàn)成了三強(qiáng)鼎立的寡占市場(chǎng),中國(guó)在市場(chǎng)、國(guó)安考量力求在存儲(chǔ)有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進(jìn)擊到合體發(fā)展,另外兩組勢(shì)力在聯(lián)電、中芯...
2016-11-15 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)NAND Flash 1018 0
三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
三星電子,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商,近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室,專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Devic...
據(jù)消息人士透露,nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利...
DRAM市場(chǎng)面臨雙重壓力:庫(kù)存調(diào)整與需求疲軟影響價(jià)格走勢(shì)
今年市場(chǎng)對(duì)DRAM的整體需求并不樂(lè)觀(guān)。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價(jià),已經(jīng)讓市場(chǎng)開(kāi)始擔(dān)憂(yōu)庫(kù)存回補(bǔ)的動(dòng)能會(huì)減弱。
存儲(chǔ)設(shè)備制造商瞄準(zhǔn) ASIL 合規(guī)性
多倫多 — DDR5 在 DRAM 市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位還需要一段時(shí)間,但在汽車(chē)應(yīng)用方面,搶占先機(jī)以使存儲(chǔ)設(shè)備符合最新、最出色的汽車(chē)系統(tǒng)的可靠性和功能安全...
2022-07-15 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)設(shè)備asil 1014 0
DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收達(dá)134.8億美元,合約價(jià)還將上漲
三星dram的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)在第三季度約增加15.9%,達(dá)到52.5億美元,市場(chǎng)占有率為38.9%,占據(jù)首位。三星對(duì)ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加,1alpha...
SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能
SK海力士將于本月底啟動(dòng)建設(shè)工程,預(yù)計(jì)2025年11月完工并開(kāi)始量產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計(jì)向M15X投資超過(guò)20萬(wàn)億韓元,以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。
DRAM價(jià)格走勢(shì)追蹤:Q2半導(dǎo)體組件漲不停
據(jù)最新一期IHS iSuppli公司組件價(jià)格走勢(shì)追蹤報(bào)告,繼連續(xù)兩年放緩之后,半導(dǎo)體組件的長(zhǎng)期前景有望好轉(zhuǎn),未來(lái)四年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)計(jì)達(dá)到...
2013-04-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)DRAM平板電腦 1011 0
三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)...
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