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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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這篇文章聊一聊輸入輸出(IO)中的輸出。大家都知道IO是芯片跟系統(tǒng)交互的直接路徑,IO做的好與壞系統(tǒng)很容易就能檢測出來。
本文將介紹芯片設計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設備中的應用。
地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒,使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會有 A0-A16 (因為 RAS\_n 復用為 ...
R128點燈指南加強篇—LEDC點三色流水燈(WS2812)
R128-DevKit 擁有4顆 WS2812LED,本文將詳細敘述如何點亮他們。
SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發(fā)器構成。每個觸發(fā)器可以存儲一個位的數(shù)據(jù),并在電源供電時一直保持該狀態(tài),不需要刷新操作。
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的
對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設計最突出的主題。SoC設計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術,其思考的核心都是必須規(guī)劃、設計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設計人員必...
從DDR3到LPDDR4(X),看產品細分差異優(yōu)化發(fā)展
DDR從誕生開始,就由于其在時鐘上升沿和下降沿均可進行數(shù)據(jù)傳輸,相較之前SDR單邊傳輸,以double date rate的速率優(yōu)勢,極大提高了帶寬,逐...
背景 RAM和ROM也是類似的,由于這也是常用的IP核,所有完全有必要在這里記錄一下,以后用到了實際后,再補充到實際工程中。隨機存儲器(RAM),它可以...
新一代AI/ML加速器新型內存解決方案——HBM2E內存接口
近年來,隨著內存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一,以高帶寬內存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角,成為搭配新一...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是計算機系統(tǒng)中廣泛使用的內存類型之一。它以其高速、大容量和相...
NVDIMM-P內存最新技術,能夠在意外斷電時保留原有數(shù)據(jù)
隨著 DRAM 內存容量和頻率的持續(xù)增長,現(xiàn)有電腦內存的安全性也一直沒有得到提升。近日,JEDEC固態(tài)技術協(xié)會宣布的最新第一代協(xié)議是由對DRAM容量和帶...
如何使用Xilinx SDK啟動電路板及利用Zynq DRAM進行測試
在本視頻中,我們將學習如何使用Xilinx SDK啟動電路板,利用每個驅動程序提供的應用示例并測試各種外設。 我們將詳細介紹Zynq DRAM測試,并...
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