DDR從誕生開始，就由于其在時(shí)鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，相較之前SDR單邊傳輸，以double date rate的速率優(yōu)勢(shì)，極大提高了帶寬，逐步成為最主流的DRAM產(chǎn)品。伴隨對(duì)傳輸速率及性能不斷提高的市場(chǎng)需求，更高的頻率要求更精確的雙邊采樣，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代更低功耗的產(chǎn)品需求對(duì)電源/接口等設(shè)計(jì)都有著新的挑戰(zhàn)。DDR也就因此的逐代發(fā)展起來(lái)了。

DDR1/DDR2目前已基本退出主流市場(chǎng)，所以我們從DDR3開始，從上述方面看下DDR3/DDR4/LPDDR4(X)之間的區(qū)別。

1時(shí)鐘頻率

DDR3：在533Mhz到1067Mhz之間，也就是1066Mbps到2133Mbps。

DDR4：一般1066Mhz起步，高達(dá)2133Mhz。

LPDDR4(X)：一般也是這個(gè)范圍，因其為低功耗產(chǎn)品，所以目前主要應(yīng)用1866Mhz及2133Mhz。

2電壓

DDR3：標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.5V，低電壓版本是1.35V。

DDR4：標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.2V，

有高頻內(nèi)存條電壓為1.35V。

LPDDR4：VDD1是1.8V，

VDD2和VDDQ均為1.1V。

LPDDR4X：VDD1是1.8V，

VDD2是1.1V，

VDDQ電壓更低至0.6V。

LPDDR4X可以視為L(zhǎng)PDDR4的更節(jié)能優(yōu)化版本。它具有與LPDDR4相同的頻率，帶寬。它將I / O電壓降低近了50％（1.1至0.6V），從而大大降低了存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)器控制器的功耗，總功耗降低約10-20％

更低的電壓不僅功耗和發(fā)熱會(huì)有所下降，穩(wěn)定性也會(huì)提升不少。功耗降低除了和供電電壓有關(guān)，更重要的是以相關(guān)的接口設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。

3內(nèi)部訪問(wèn)

如何滿足越來(lái)越高速的外部時(shí)鐘需求?

這就是prefetch概念，這個(gè)在SDR時(shí)代沒(méi)有，因?yàn)槟菚r(shí)的單邊低速不需要內(nèi)部prefetch。

DDR1：需要提前并行的取2bit數(shù)據(jù)，后轉(zhuǎn)成串行以滿足外部的高速傳輸。

DDR2：需要4bit。

DDR3/DDR4：需要8bit，突發(fā)長(zhǎng)度也為8 或chop 4（只取用一半的數(shù)據(jù)）。

LPDDR4(X)：預(yù)取寬度更寬為16，而突發(fā)長(zhǎng)度為16或32。

讀取數(shù)據(jù)時(shí)并轉(zhuǎn)串的概念可參見上圖所示

4容量

各代DDR的顆粒及內(nèi)存條最大容量正在變大

DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到DDR3產(chǎn)品的8倍之多。

舉例來(lái)說(shuō):

目前常見的DDR3大容量?jī)?nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。

LPDDR4X命令和地址總線已保留有6位SDR空間，它占用的片上空間更少，單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。

可參考上表各代LPDDR涉及到的主要區(qū)別

雖然目前市場(chǎng)已向速率更快技術(shù)更先進(jìn)的DDR5/LPDDR5發(fā)展，但LPDDR4(X)仍然在不少應(yīng)用中的占據(jù)主流市場(chǎng)，甚至DDR3因兼容性等因素依然也有自己的應(yīng)用機(jī)會(huì)，受供需關(guān)系影響，有時(shí)DDR3的價(jià)格還會(huì)高于DDR4等。

所以，作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，東芯半導(dǎo)體在追趕國(guó)際領(lǐng)先大廠的同時(shí)，也是穩(wěn)扎穩(wěn)打，從DDR3開始，目前即將推出LPDDR4X系列的DRAM產(chǎn)品。以下是東芯半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品簡(jiǎn)要，具體的產(chǎn)品信息和應(yīng)用，敬請(qǐng)持續(xù)關(guān)注東芯半導(dǎo)體公眾號(hào)及網(wǎng)站的相關(guān)更新（點(diǎn)擊下方小標(biāo)題查看產(chǎn)品詳情）。

· DDR3（L）·

東芯的DDR3（L）產(chǎn)品具備高傳輸速率以及低工作電壓?？商峁?.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個(gè)內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。在網(wǎng)絡(luò)通信，消費(fèi)電子，智能終端，物聯(lián)網(wǎng)等幾乎所有電子產(chǎn)品領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。

LPDDR1/2/4X ·

東芯的LPDDR系列產(chǎn)品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個(gè)系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常適合應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中。LPDDR系列產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。

東芯，為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案。

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力，通過(guò)國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作，致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。

審核編輯：湯梓紅