半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息，而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元，它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。

由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器，就用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)了。

按其功能可分為：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱ram)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM) 。

RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的信息都會(huì)隨之丟失。

DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器，ROM主要用于BIOS存儲(chǔ)器。

按其制造工藝可分為:雙極晶體管存儲(chǔ)器和MOS晶體管存儲(chǔ)器。按其存儲(chǔ)原理可分為:靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。

SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。說(shuō)具體點(diǎn)就是高速緩存或者說(shuō)是二級(jí)緩存。

SRAM靠寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，DRAM靠MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，需要進(jìn)行周期性的刷新操作。

靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的；動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的。

由于電容上的電荷會(huì)泄漏，需要定時(shí)給與補(bǔ)充,所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低。

審核編輯：劉清

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CMOS(233055) CMOS(233055)
DRAM(181800) DRAM(181800)
晶體管(134510) 晶體管(134510)
SRAM存儲(chǔ)器(13127) SRAM存儲(chǔ)器(13127)

評(píng)論

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笑君愁發(fā)布于 2022-07-22 07:06:55

111.1 同步SRAM、FIFO存儲(chǔ)器及雙口存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介#SRAM #FIFO存儲(chǔ)器

DRAMsram存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)

電路設(shè)計(jì)快學(xué)發(fā)布于 2022-07-29 11:14:39