最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易失性存儲(chǔ)器（也稱為揮發(fā)性存儲(chǔ)器）。SRAM的密度一般比DRAM要落后一代。然而SRAM具有的低功耗和高性能的特點(diǎn)，使它們成為了DRAM的實(shí)際替代者。現(xiàn)今大量用于商品的SRAM使用NMOS和PMOS技術(shù)制造（或者兩種技術(shù)的結(jié)合，稱為混合MOS）。


1995年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的銷售額占總IC市場(chǎng)的42%，但是隨著1995年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的價(jià)格在接著的三年中急劇下降。到1998年存儲(chǔ)器的銷售額只占總IC市場(chǎng)的21%。在20世紀(jì)90年代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的銷售額平均約為IC總銷售額的30%。曾經(jīng)預(yù)言在2005年以前IC的總銷售額中存儲(chǔ)器的市場(chǎng)份額都將逐漸增加。在高密度和高速應(yīng)用方面，正在采用雙極型和MOS技術(shù)的各種結(jié)合。


半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的種類繁多，通常從功能上可將其分為只讀儲(chǔ)器（ROM）和隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）。只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是其內(nèi)容在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)使用之前已經(jīng)寫入，開(kāi)機(jī)后只能讀出使用而不能寫入，且儲(chǔ)存數(shù)據(jù)不會(huì)因系統(tǒng)的掉電而丟失。它主要面向已經(jīng)定型的程序或?qū)Ｓ脭?shù)據(jù)。


隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是可以隨時(shí)對(duì)其進(jìn)行讀寫操作，但電源切斷時(shí)，儲(chǔ)存的信息會(huì)隨之消失。在隨機(jī)存儲(chǔ)器中按照對(duì)數(shù)據(jù)操作方式的不同，可以將RAM分為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）與靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）；SRAM的密度和性能通常通過(guò)等比例縮小器件的幾何形狀來(lái)增強(qiáng)。已發(fā)展了具有亞微米尺寸的先進(jìn)的4Mb到16MbSRAM芯片的設(shè)計(jì)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在可以得到商業(yè)芯片。DRAM發(fā)展中的主要改進(jìn)是從三晶體管（3T）設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉w管（1T）設(shè)計(jì)，使得可以生產(chǎn)采用3-D溝槽電容器和堆疊電容器的4Mb到16Mb密度的芯片。lw