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標簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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DDR5內存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優勢?
2021 年,JEDEC 宣布發布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準,標志著行業向 DDR5 dual-inline memory mod...
四級單元(QLC)NAND正在進入企業領域,它可幫助降低價格,低于目前領先的三級單元(TLC)NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地...
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉變——例如結晶態和非晶態之間的轉變——以及相關的電氣特性變化——來存儲數據。
2022-10-18 標簽:相變存儲器DRAMNand flash 3790 0
采用同構多核(many-core)架構,超過1000個獨立的處理器。每個處理器核的處理能力和具體支持的操作還不清楚。支持all-to-all的核間通信,...
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動態RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數據,首先需要給T4加上一個預充電信號,然后VDD給讀數據線充電,代表需要讀出的數據是“1”,進行讀出時,讀選擇線是高電平。此時,如果原...
本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源,包括特性、工作原理、應用場景等。
LPDDR5:增強物聯網、人工智能和圖像處理的帶寬、可靠性和功耗
云計算、人工智能、自動駕駛汽車、增強現實、嵌入式視覺等新應用正在推動對內存性能和能效的更嚴格要求。內存是這些系統的核心,需要高帶寬和速度以及更低的功耗和...
兩種最常見的商業存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩定,但速度不是特別快...
什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
DRAM :動態隨機存儲器,必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量,否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現每一個記憶單位處于何種狀態。
除了設計沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅動器的成本外,還有其他原因。 閃存控制器的設計要么具有外部DRAM(動態隨機存取內存)接口,要么就沒有具備。一...
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
全連接層是將輸入向量X乘以權重矩陣W,然后加上偏置B的過程。下面轉載第二篇的圖,能按照這個圖計算就可以了。
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