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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補金屬氧化物半導體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數字集成電路的基本單元。
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mos管的工作區域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個工作區域: 截止區域 線性(歐姆)區域 飽和區域 當 VGS VTH時,mos管工作在截止區域...
采用28納米CMOS技術的12-b 10-GS/s交錯式流水線ADC
本文介紹了一種 12 位 10GS/s 交錯 (IL) 流水線模數轉換器 (ADC)。該 ADC 采用 4 GHz 輸入信號實現 55 dB 的信噪比和...
16位16MS/s SAR ADC采用55nm CMOS進行片上校準
逐次逼近寄存器(SAR)ADC已獲得大量研究 過去十年左右的興趣[1]-[9]。相對簡單的架構由于 無需運算放大器即可重用硬件 更節能,更易于在進程之間...
當核心區域和 I/O 區域都已經生長晶體管后,沉積多晶硅層(Poly-Si)和硬掩模層(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉積柵疊層(Cate-Sta...
利用CMOS數字隔離器提高智能計量解決方案的數據完整性和可靠性
隨著消費者從傳統的機電電表升級到聯網的智能電表,自動讀表(AMR)市場預計在未來幾年將以兩位數的速度增長。當今先進的智能電表使用最新的集成電路(IC)技...
在芯片技術的發展過程中,隨著芯片制程的逐步縮小,互連線引起的各種效應成為影響芯片性能的重要因素。芯片互連是目前的技術瓶頸之一,而硅光子技術則有可能解決這一問題。
我們知道,攝像頭在進行圖像拍攝時,最理想的位置是能垂直與拍攝平面的,這樣能保證圖像能按照原來的幾何比重重現。
前言 《模擬CMOS集成電路設計》是本人讀書期間的學習用書,在工作中也逐漸成為手頭必備的工具書。該書的內容以其語言精練,內容詳實,重在基礎等特點,逐漸成...
Everspin展示了28nm單機1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲器設計,制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權...
CMOS全稱是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文學名為互補金屬氧化物半導體。
除了小尺寸和低靜態電流(23?A/放大器)外,OPA336還具有低偏移電壓(典型值為500?V)、低輸入偏置電流(1 pA)和高開環增益(115 dB)。
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