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LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅動器、保護和零電壓檢測介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
技術資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電流檢測
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅動器和保護介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
應用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅動器
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...
具有集成驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
技術資料#LMG3410R150 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
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