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標簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為字節存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。
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隨著數字化轉型加速推進，數據量呈現爆炸式增長，數據存儲不再僅僅是保存信息的簡單功能，而已然成為支撐現代經濟社會運行的基礎設施之一。當前，基于閃存介質的固...
今天5月10日是“中國品牌日”，由國務院首次設立的“中國品牌日”，這意味著品牌戰略已經上升到前所未有的高度。
單片機內存資源通常包括ram(隨機訪問存儲器)和Flash存儲器。ram用于運行時數據和堆棧，而Flash存儲器用于存儲程序代碼和只讀數據。這兩者的資源...
SanDisk將為昔日冤家供應閃存芯片產品 據閃存業者透露，包括威剛，創見，勁永，以及閃存控制器制造商群聯在內的多家臺系閃存產品供應商已經開始從閃存芯片廠商
目前東芝是全球第二大NAND 閃存芯片廠商，市占率為45%，僅次于韓國三星。NAND閃存芯片則是全球芯片市場的熱銷產品，為蘋果iPhone和iPad等全...
2011-03-15 標簽：閃存 704 0
據韓國貿易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業界的另一個支柱——3.3...
東芝閃存芯片以19.8%的市場份額僅次于三星電子的36.6%，市場地位不容小覷。且閃存芯片自去年以來出現了供應緊張狀況，價格正在不斷上漲。而為了挽救財務...
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）...
相變內存（Phase Change Memory，PCM）是一項以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅的新型非易失性技術，可以成為取代閃存的...
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9...
企業閃存技術隨著NVMe架構、QLC驅動器和存儲類內存的發展而不斷發展，新的選項將使數據中心能夠擴展閃存的使用案例。
國產旗艦固態硬盤明日之星！紫光閃存UNIS SSD S2 Ultra現已開售
在數字化浪潮推動下，人們的數據存儲量不斷攀升，數據存儲和傳輸的速度成為衡量技術進步的重要指標。憑借在智能科技領域的深厚積累，紫光集團于今年上半年重磅推出...
電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術，特別...
2025-02-27 標簽：閃存 693 0
電子發燒友早八點訊：本周，東芝的股東和業界都在等待一個巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個美日韓聯合體簽約，正式變賣閃存芯片業務，獲得急需的180億美元。
韓國結束對閃存商反壟斷調查未發現違法行為 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發現韓國或其他地區閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。
在現代汽車嵌入式系統中，高度安全的數據存儲是必不可少的，尤其是在面對日益高明的網絡攻擊時。對電子嵌入式系統的安全和安全保障需求從未有今天這樣強烈。
作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
由于過去兩年中平均銷售價格強勁上漲，DRAM登頂了2018年增長最快的產品排行榜。2018年DRAM市場預計將增長39％，成為了2017年的77%增長率...
根據2018年底IDC發布的報告“Data Age 2025：The Digitization of the World From Edge to Co...
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