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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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QLC閃存、TLC閃存是什么?QLC閃存、TLC閃存有何區(qū)別?
閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對閃存的了解和認(rèn)識,本文將對QLC閃存以及TLC閃存...
CC2530 是用于2.4-GHz IEEE 802.15.4、ZigBee 和RF4CE 應(yīng)用的一個(gè)真正的片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。它能夠以非常低的...
這兩天的手機(jī)圈都被三星Galaxy Fold刷屏了,作為第一款可量產(chǎn)上市的折疊屏手機(jī),Galaxy Fold的強(qiáng)悍毋庸置疑,4.6英寸+7.3英寸內(nèi)外雙...
固態(tài)硬盤的使用時(shí)限是多少,SSD壽命不光由閃存來決定
固態(tài)硬盤又稱SSD,里面值錢的幾樣的東西分別是主控芯片、緩存、閃存顆粒,這也是影響固態(tài)性能和壽命的幾個(gè)關(guān)鍵因素。
三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地
據(jù)報(bào)道,近日,陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動舉行。其中,在走進(jìn)西安中,三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。
近日,有多位數(shù)碼博主實(shí)測,華為Mate40 Pro的閃存讀寫速度堪稱“恐怖”。小白測評實(shí)測顯示,華為Mate40 Pro的持續(xù)讀取、寫入速度分別達(dá)到了1...
國產(chǎn)機(jī)之殤,華為p10“閃存門”背后竟然是這樣!閃存無國產(chǎn)
很多人不知道的是,閃存,直到目前還沒有任何一家中國公司能夠供應(yīng)。華為或許沒有想到,其最新推出的P10系列手機(jī),會因“閃存門”卷入了前所未有的輿論漩渦。
flash存儲器,及閃速存儲器,這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點(diǎn),是人們使用電腦辦公或者娛樂時(shí)必備的工具。
用過U盤的同學(xué)應(yīng)該對U盤不陌生,有時(shí)候U盤老是壞,特別是做PE維護(hù)工具的同學(xué),U盤應(yīng)該壞了很多次了,如此先了解一下U盤、固態(tài)硬盤的芯片顆粒。
手機(jī)頻繁卸載和安裝軟件到底會不會影響手機(jī)性能
我們想要知道頻繁的安裝APP會不會對手機(jī)造成傷害,就首先需要了解,頻繁的安裝和卸載主要是對那個(gè)硬件進(jìn)行操作。
當(dāng)然,現(xiàn)在大家已經(jīng)無需擔(dān)心手機(jī)TLC閃存的問題。從iphone8年代開始,手機(jī)已經(jīng)全面使用TLC顆粒。大量手機(jī)廠商都證明了,當(dāng)TLC方案成熟之后,使用T...
怎樣測試手機(jī)的讀寫速度 UFS3.0又有哪些優(yōu)勢
近日旗艦新機(jī)一加7的參數(shù)已經(jīng)曝光了不少,其中一項(xiàng)就是一加7全系將會采用UFS 3.0。
隨著麒麟970、驍龍845和三星Exynos 9810等新一代旗艦處理器的出現(xiàn),2018年高端智能手機(jī)有望迎來準(zhǔn)5G的網(wǎng)絡(luò)體驗(yàn)(下行速率可達(dá)1.2Gbp...
CC2530是專門針對IEEE 802.15.4和Zigbee應(yīng)用的單芯片解決方案,經(jīng)濟(jì)且低功耗。 CC2530有四種不同的版本:CC2530-F32 ...
FBO煥新存儲技術(shù)是什么,它是如何解決手機(jī)卡頓痛點(diǎn)的?
智能手機(jī)已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一個(gè)產(chǎn)品。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、創(chuàng)新傳感器、以及人工智能的應(yīng)用普及,智能手機(jī)被賦予了越來越多的功能,其性能越來越高,存儲...
現(xiàn)在的閃存已經(jīng)發(fā)展到96層3D TLC工藝,固態(tài)硬盤的成本也日益下降,現(xiàn)在的新電腦都會配置一塊固態(tài)硬盤提升電腦的運(yùn)行效率。但無論固態(tài)硬盤的成本降到多低,...
SLC全稱是單層式儲存 (Single Level Cell),因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡單,在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小,所以壽命較長,傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以...
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