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SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導體芯片制造商,主要生產DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一,也是全球DRAM市場的領導者之一。
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SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案,具備行業內最高性能且專門針對端側AI手機進行優化。”此外,公司還強調,“借助此產品...
SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開緊密合作,通過發送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前,增加...
SK海力士CEO郭魯正近日在公開場合表示,AI存儲芯片的市場需求正在迅猛增長,預計至2025年的訂單已接近飽和。他強調,雖然目前AI主要服務于數據中心,...
當前,3D NAND閃存在通過提高堆棧層數來增加容量上取得顯著進展。然而,在這種趨勢下,閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發困難且速率減緩。
韓國知名芯片企業SK海力士(SK Hynix)近日發布了其2024年第一季度的業績報告,展現出強勁的復蘇勢頭。初步核實數據顯示,該季度公司營業利潤達到2...
SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基...
SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大...
SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146億美元)在韓國新建存儲芯片產能,以滿足快速增長的人工智能開發需求。
據了解,由于龍仁芯片集群的投產延遲,預計今年內存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國設立新廠,同時也在...
三星公司近日作出重大決策,決定將泰勒廠的運營時間延長至2026年,原計劃為2024年底。這一調整似乎是為了更靈活地應對代工市場的變化,以優化投資節奏。
SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內存或供應不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應壓力,可...
新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量,更能讓企業級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下,實現單模組128GB,...
本季度,SK海力士實現了歷史最高的收入水平,同時營業利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀錄。公司認為這標志著長期低迷后的全面復蘇。
SK海力士將于本月底啟動建設工程,預計2025年11月完工并開始量產。此外,公司還將逐步增加設備投資,預計向M15X投資超過20萬億韓元,以進一步擴大產能。
SK海力士計劃在本月底啟動建設,預計到2025年11月完工并正式投產。此外,公司還將逐步增加設備投資,預計在M15X的總投資額將超過20萬億韓元,以此來...
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
據悉,鎧俠的主要投資者貝恩資本已經將上市審查傳達給了其債權銀行,并預計最早將于今秋在東京證券交易所實現首次公開募股(IPO)。
SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產HBM4
4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發和下一代封裝技術,目標在 2026 年投產 HBM4。 根據...
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