SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數已經成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。

不過，隨著層數的增加，面臨的挑戰也愈發嚴峻。閃存顆粒內部需要蝕刻出垂直通道以確保數據傳輸的流暢，但在層數增高的過程中，深寬比的增大使得蝕刻的難度加大，且蝕刻速度也逐漸減慢。這種現象對生產效率產生了顯著影響。

SK 海力士和東京電子的這次合作，旨在通過測試TEL的低溫蝕刻設備，找到一種更為高效、精確的蝕刻方法，以應對未來NAND閃存生產中的挑戰，進一步提升產品的性能和生產效率。