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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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理想汽車自研碳化硅芯片及電驅(qū)動總成量產(chǎn)下線
近日,理想汽車宣布了一項重要的技術(shù)突破與量產(chǎn)成果。其自主研發(fā)的碳化硅功率芯片已經(jīng)順利完成裝機,標(biāo)志著理想汽車在半導(dǎo)體核心技術(shù)的自主研發(fā)上取得了關(guān)鍵進(jìn)展。...
BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項
在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 627 0
長飛先進(jìn)武漢基地總投資逾200億,預(yù)計5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線
? 春節(jié)過后,位于武漢新城的長飛先進(jìn)武漢基地正加緊建設(shè)。這座總投資超200億元的超大項目在極短時間內(nèi)拔地而起,目前已進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段,預(yù)計今年5月實...
逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應(yīng)用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...
2025-02-10 標(biāo)簽:SiC感應(yīng)電源碳化硅 399 0
5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢,并做損耗...
6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計算
傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC(內(nèi)置3KW DC/DC )應(yīng)用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超結(jié)MOSFET O...
納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈
近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入...
2025-02-07 標(biāo)簽:戴爾碳化硅納微半導(dǎo)體 618 0
在日常生活中,我們對手機、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設(shè)備正常運行的背后,是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案...
2025-02-06 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體碳化硅 735 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。
光伏MPPT設(shè)計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點跟蹤(MPPT)設(shè)計中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
碳化硅MOSFET相對IGBT為什么可以壓榨更多應(yīng)用潛力?
碳化硅(SiC)MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新,具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設(shè)計以及系統(tǒng)...
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 754 0
為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案
BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動汽車充電和雙向(雙向)...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...
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