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功率半導體的成長之路

芯長征科技 ? 來源:開關電源設計 ? 2025-02-06 15:28 ? 次閱讀

以下文章來源于開關電源設計,作者Cherish

在日常生活中,我們對手機、電腦、電視等電子設備習以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設備正常運行的背后,是什么在默默發揮關鍵作用?答案就是功率半導體器件。雖然它不像處理器、顯示屏那樣被大眾熟知,卻如同電子設備的 “心臟”,掌控著電能的轉換與電路的控制 ,是電子設備穩定運行的核心。

小到手機充電器,大到工業電機驅動,功率半導體器件無處不在。以手機充電器為例,它能將 220V 的交流電轉換為適合手機充電的直流電,這一過程就離不開功率半導體器件的電能轉換作用;在電動汽車中,功率半導體器件更是核心,它控制著電池電能與電機機械能的高效轉換,直接影響著汽車的續航里程、動力性能和充電速度。

追溯往昔:功率半導體的成長之路

功率半導體器件的發展歷程,是一部不斷創新與突破的科技史詩。從最初的簡單器件到如今的高性能產品,它見證了電力電子技術的飛速發展,也推動了眾多領域的變革與進步?;仡櫰浒l展歷程,我們能清晰地看到科技的力量和人類智慧的結晶。

(一)初代崛起:開啟電力電子時代

20 世紀 50 - 70 年代,是功率半導體器件發展的萌芽與初步發展階段。1957 年,美國通用電氣公司(GE)發明了晶閘管(Thyristor) ,這一發明猶如一顆璀璨的新星,照亮了電力電子技術發展的道路,標志著電能的變換、傳輸和應用進入了新的技術發展時代。在此之前,功率二極管和功率三極管也已相繼面世,并應用于工業和電力系統,但晶閘管的出現,徹底改變了電力控制的方式。它能以小電流控制較大的功率,實現了弱電控制強電,使得電力電子變換裝置開始廣泛應用于工業、交通和能源等各個領域。

在工業領域,晶閘管被大量應用于電機調速系統。傳統的電機調速方式效率低下,而晶閘管的出現,使得電機調速變得更加精準和高效。通過控制晶閘管的導通角,可以精確地調節電機的轉速,從而滿足不同工業生產的需求,極大地提高了生產效率和產品質量。在電力系統中,晶閘管也發揮著重要作用,它被用于高壓直流輸電(HVDC)系統,實現了交流電與直流電的高效轉換,解決了長距離輸電過程中的能量損耗問題,為電力的大規模傳輸和分配提供了可靠的技術支持 。

(二)變革創新:邁入電子應用新紀元

20 世紀 70 - 90 年代,功率半導體器件迎來了重大變革。平面型、溝槽型功率 MOSFET(金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管)和 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等新型器件相繼出現,這些器件的誕生,如同為電力電子技術插上了騰飛的翅膀,使半導體功率器件正式進入電子應用時代。

功率 MOSFET 是一種壓控型器件,具有輸入阻抗高、開關速度快和驅動電路設計簡單等特點。它通過改變 “柵極 - 源極” 之間的電壓,就能控制器件的開關狀態,這使得它在數字電路模擬電路中都得到了廣泛應用。在計算機主板的電源管理電路中,功率 MOSFET 被用于控制電流的通斷,確保各個組件能夠獲得穩定的電源供應。隨著工藝技術的不斷進步,功率 MOSFET 的性能也在不斷提升,其導通電阻不斷降低,開關速度不斷提高,能夠滿足越來越高的功率密度和效率要求。

**IGBT 則是將 MOSFET 與 BJT(雙極結型晶體管)的技術優點相結合的產物。**它既具有 MOSFET 的高輸入阻抗和快速開關特性,又具有 BJT 的低導通損耗特性。當 “柵極 - 發射極” 之間的電壓超過 MOSFET 的柵極閾值電壓時,MOS 溝道打開,向 PNP 型 BJT 基極注入電流,從而開通 BJT。由于集電極側 P 型半導體向 N 型基區注入少子,在基區中形成了電導調制效應,使得 IGBT 在保證耐壓的同時,能夠極大地降低導通電阻,形成了耐壓與導通電阻的良好折衷關系。IGBT 的出現,使得電力電子技術在中高壓、大功率應用領域取得了重大突破,它被廣泛應用于新能源汽車、智能電網、軌道交通等領域。在新能源汽車中,IGBT 用于控制電機的驅動,其性能直接影響著汽車的動力性能和續航里程;在智能電網中,IGBT 被用于電力變換和控制,提高了電網的穩定性和可靠性 。

(三)突破極限:寬禁帶材料帶來新曙光

20 世紀末期以來,隨著科技的飛速發展和應用需求的不斷提高,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體器件逐漸嶄露頭角。這些器件采用寬禁帶材料制造,具有更高的擊穿電場強度、更低的漏電流、更高的電子遷移率和更好的熱穩定性等優點,為功率半導體器件的發展帶來了新的曙光。

碳化硅(SiC)器件具有優異的性能,其擊穿電場強度是硅的 10 倍以上,熱導率是硅的 3 倍左右,這使得 SiC 器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。在電動汽車充電樁中,SiC 功率器件的應用可以顯著提高充電效率,縮短充電時間,同時減小充電樁的體積和重量。在光伏逆變器中,SiC 器件的使用能夠降低能量損耗,提高轉換效率,從而降低光伏發電的成本 。

氮化鎵(GaN)器件則具有更高的電子遷移率和開關速度,其開關頻率可以達到 MHz 級別,是傳統硅基器件的數倍甚至數十倍。這使得 GaN 器件在高頻、高效的應用場景中具有巨大的優勢。在手機快充領域,基于 GaN 技術的充電器能夠實現更高的功率密度,使得充電器體積更小、重量更輕,同時充電速度更快。在 5G 通信基站中,GaN 射頻器件的應用可以提高信號的傳輸效率和覆蓋范圍,降低基站的能耗 。

今朝風采:功率半導體的多元應用

功率半導體器件憑借其卓越的電能轉換與控制能力,在眾多領域中發揮著不可或缺的作用,成為推動各行業發展的關鍵力量。從工業生產的高效運轉,到汽車領域的技術變革;從消費電子的便捷體驗,到新能源產業的蓬勃發展,功率半導體的身影無處不在,為各個領域帶來了創新與突破。

(一)工業領域:驅動高效運轉的引擎

工業自動化領域,功率半導體是實現電機高效驅動和精確控制的核心。電機作為工業生產中的主要動力源,其運行效率和控制精度直接影響著生產效率和產品質量。功率半導體器件如 IGBT、MOSFET 等,被廣泛應用于電機驅動器、變頻器和可編程邏輯控制器(PLC)等設備中。在工廠的自動化生產線中,通過變頻器中的 IGBT 模塊,能夠精確地調節電機的轉速和扭矩,根據不同的生產工藝需求,實現電機的高效運行,從而降低能源消耗,提高生產效率。同時,功率半導體還能實現電機的軟啟動和軟停止,減少電機啟動時的電流沖擊,延長電機的使用壽命 。

(二)汽車世界:傳統與新能源的變革力量

在傳統燃油汽車中,功率半導體雖然不如發動機、變速器等部件那樣引人注目,但卻在許多關鍵系統中發揮著重要作用。在發動機點火系統中,功率半導體器件用于控制點火線圈的通斷,精確地控制點火時間,保證發動機的正常燃燒和高效運行;在車燈控制電路中,功率半導體能夠實現對車燈亮度的調節,以及自動切換遠近光燈等功能,提高行車安全性 。

而在新能源汽車領域,功率半導體的地位更加舉足輕重。新能源汽車的 “三電系統”,即電池、電機、電控系統,都離不開功率半導體器件的支持。在電池管理系統(BMS)中,功率半導體用于控制電池的充放電過程,監測電池的電壓、電流和溫度等參數,確保電池的安全運行和使用壽命。在電機驅動系統中,IGBT 模塊將電池的直流電轉換為交流電,驅動電機旋轉,其性能直接影響著汽車的動力性能和續航里程。特斯拉 Model 3 采用了英飛凌的 IGBT 模塊,使得車輛在動力性能和能效方面都有出色的表現。在充電基礎設施方面,無論是交流充電樁還是直流充電樁,功率半導體都在電能轉換和控制中發揮著關鍵作用,決定了充電速度和效率 。

(三)消費電子:小巧身軀里的能量樞紐

在我們日常生活中,手機、電腦、平板等消費電子產品已經成為不可或缺的一部分。而這些設備能夠穩定運行,背后離不開功率半導體的默默支持。在手機中,功率半導體主要應用于電源管理和充電控制等方面。手機的電池容量有限,需要高效的電源管理芯片來合理分配電能,確保各個組件能夠在不同的工作狀態下獲得穩定的供電。同時,隨著快充技術的普及,功率半導體在充電控制中的作用更加重要。采用氮化鎵(GaN)技術的快充充電器,能夠實現更高的功率密度,在更小的體積內提供更大的充電功率,大大縮短了手機的充電時間。蘋果、小米等品牌的手機快充充電器都采用了 GaN 功率器件,為用戶帶來了更便捷的充電體驗 。

在筆記本電腦中,功率半導體同樣用于電源管理和散熱控制等方面。為了滿足用戶對輕薄便攜的需求,筆記本電腦的內部空間越來越緊湊,這就對電源管理和散熱系統提出了更高的要求。功率半導體器件能夠實現高效的電能轉換,降低功耗和發熱量,同時通過智能控制散熱風扇的轉速,保證電腦在長時間使用過程中的穩定性 。

(四)新能源產業:綠色能源的幕后功臣

隨著全球對環境保護和可持續發展的關注度不斷提高,新能源產業迎來了快速發展的機遇。在太陽能光伏和風力發電等新能源發電系統中,功率半導體是實現電能高效轉換和控制的關鍵。

在太陽能光伏發電系統中,光伏逆變器是核心設備,它將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電,供用戶使用或接入電網。功率半導體器件如 IGBT、MOSFET 等,被廣泛應用于光伏逆變器中,實現了高效的電能轉換和精確的控制。華為的智能光伏逆變器采用了先進的功率半導體技術,轉換效率高達 99% 以上,大大提高了光伏發電系統的發電量和經濟效益 。

在風力發電系統中,功率半導體用于控制風力發電機的轉速和電能輸出,實現最大功率點跟蹤(MPPT),提高風能的利用效率。同時,還能實現對電網的無功補償和低電壓穿越等功能,保證風力發電系統與電網的穩定連接和可靠運行 。

此外,在智能電網的電能傳輸和分配中,功率半導體也發揮著重要作用。通過采用高壓直流輸電(HVDC)技術和柔性交流輸電(FACTS)技術,利用功率半導體器件實現對電能的高效轉換和精確控制,提高了電網的輸電能力和穩定性,減少了電能損耗 。

(一)技術突破:邁向性能新巔峰

在技術發展的征程中,功率半導體正朝著更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向大步邁進。新型材料研發是推動功率半導體性能提升的關鍵力量。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料,憑借其卓越的性能優勢,已成為研究和應用的熱點。未來,隨著材料生長技術的不斷進步,碳化硅和氮化鎵材料的質量將進一步提高,缺陷密度將降低,從而為制造高性能的功率半導體器件奠定堅實基礎。科學家們正在探索新的材料生長方法,如改進化學氣相沉積(CVD)技術,以實現更均勻、高質量的材料生長 。

器件結構優化也是提升功率半導體性能的重要途徑。通過創新的器件結構設計,可以有效降低導通電阻、提高開關速度和擊穿電壓。超級結結構的 MOSFET,通過在漂移區引入交替的 P 型和 N 型柱狀結構,實現了高耐壓和低導通電阻的良好平衡,大大提高了器件的性能。未來,隨著對器件物理機制的深入理解,將涌現出更多新穎的器件結構,為功率半導體的性能提升帶來新的突破 。

制造工藝的改進同樣不可或缺。隨著半導體制造技術的不斷發展,如光刻技術、刻蝕技術和封裝技術的進步,功率半導體的制造精度和效率將大幅提高。采用極紫外光刻(EUV)技術,可以實現更小的器件尺寸和更高的集成度,從而提高功率密度和降低成本。先進的封裝技術,如系統級封裝(SiP)和三維集成(3D IC)技術,能夠將多個功率器件和其他電路元件集成在一個封裝內,減小體積,提高系統性能 。

(二)應用拓展:探索無限可能

隨著 5G 通信、物聯網人工智能、航空航天等新興技術和領域的蓬勃發展,功率半導體迎來了前所未有的發展機遇,其應用領域也在不斷拓展。

在 5G 通信領域,功率半導體是基站建設和終端設備的關鍵組成部分。5G 基站需要更高功率、更高效率的射頻功率放大器和電源管理芯片,以滿足高速、大容量的數據傳輸需求。氮化鎵(GaN)射頻器件因其高電子遷移率和開關速度,能夠實現更高的功率密度和效率,成為 5G 基站射頻功放的理想選擇。同時,在 5G 終端設備中,功率半導體也用于電源管理和信號處理等方面,確保設備的穩定運行 。

物聯網的興起,使得數以億計的設備實現互聯互通。這些設備需要高效的電源管理和控制,功率半導體在其中發揮著至關重要的作用。在智能家居設備中,功率半導體用于電機驅動、照明控制和電源管理等方面,實現設備的智能化和節能化。智能冰箱、智能空調等設備通過功率半導體實現對壓縮機和風機的精確控制,提高能效,降低噪音 。

人工智能的發展對計算能力提出了極高的要求,數據中心作為人工智能的 “大腦”,需要大量的電力支持。功率半導體在數據中心的電源轉換和管理中扮演著關鍵角色,高效的功率半導體器件能夠降低數據中心的能耗,提高能源利用效率。此外,在人工智能的邊緣計算設備中,功率半導體也用于實現快速的數據處理和低功耗運行 。

在航空航天領域,功率半導體的應用對于提高飛行器的性能和可靠性至關重要。在航空發動機的控制系統中,功率半導體用于控制燃油噴射和點火系統,實現發動機的高效運行。在衛星的電源系統中,功率半導體用于將太陽能轉化為電能,并進行電能的存儲和分配,確保衛星在太空中的穩定運行 。

(三)市場風云:競爭與合作并存

全球功率半導體市場呈現出激烈的競爭態勢,同時也蘊含著廣泛的合作機會。歐美日等發達國家的功率半導體企業憑借其先進的技術和豐富的經驗,在市場中占據主導地位。英飛凌、德州儀器、三菱電機等企業,憑借其強大的研發實力和完善的產業鏈布局,在全球市場上具有較強的競爭力 。

近年來,中國等新興市場國家的功率半導體企業發展迅速,通過技術創新和市場拓展,逐漸在國際市場上嶄露頭角。比亞迪在新能源汽車功率半導體領域取得了顯著成就,其自主研發的 IGBT 芯片已廣泛應用于旗下的新能源汽車產品中,打破了國外企業的壟斷。中車時代電氣在軌道交通功率半導體領域處于領先地位,其產品為我國高鐵的發展提供了有力支持 。

面對激烈的市場競爭,國內企業需要加強技術創新,加大研發投入,提高產品的性能和質量,以提升自身的競爭力。同時,企業還應積極拓展市場,加強與下游客戶的合作,了解客戶需求,提供定制化的解決方案,滿足不同客戶的需求。

合作創新也是推動功率半導體產業發展的重要力量。企業、高校和科研機構之間應加強合作,共同開展關鍵技術研發,突破技術瓶頸,實現產業的協同發展。產業鏈上下游企業之間也應加強合作,建立穩定的供應鏈體系,共同應對市場挑戰,實現互利共贏 。

功率半導體器件從誕生之初,便以其獨特的電能轉換與控制能力,在電子世界中扮演著不可或缺的角色。從工業領域的高效驅動,到汽車行業的變革創新;從消費電子的便捷體驗,到新能源產業的蓬勃發展,它的身影無處不在,推動著各個領域的技術進步和產業升級。

回顧其發展歷程,從初代晶閘管的嶄露頭角,到新型 IGBT、MOSFET 等器件的廣泛應用,再到寬禁帶半導體器件帶來的技術革命,每一次突破都凝聚著無數科研人員的智慧與汗水,也為人類社會的發展帶來了巨大的變革。如今,在技術突破、應用拓展和市場競爭的多重驅動下,功率半導體正邁向一個充滿無限可能的未來。

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原文標題:從幕后英雄到舞臺中央:功率半導體的逆襲之路

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