隨著人工智能(AI)技術的迅猛發展，為AI處理器提供高效、可靠的電源供應，成為了一個不容忽視的挑戰。想要應對這一挑戰，打造新一代功率器件是關鍵的一環。

為了滿足由AI驅動、日趨旺盛的市場需求，英飛凌進一步擴展碳化硅(SiC)MOSFET的產品組合，推出了全新的400V CoolSiC MOSFET系列。該系列SiC MOSFET專為AI服務器的AC/DC級而開發，在滿足AI PSU日益增長的功率需求的同時，還有助于保持服務器機架的緊湊尺寸，實現更高能效的先進AI應用，是英飛凌對PSU產品線的有力補充。

精選推薦

CoolSiC 400V G2

碳化硅MOSFET

01產品詳情

英飛凌推出的CoolSiC 400V MOSFET系列，是早些時候發布的第二代(G2)CoolSiC技術的升級版。與市場現有的650V SiC和Si MOSFET相比，這一新產品系列具有超低的傳導和開關損耗。

作為AI服務器電源裝置的AC/DC級，CoolSiC 400V MOSFET系列采用多級PFC，功率密度達到100W/in3以上，并且效率高達99.5%——與采用650V SiC MOSFET的解決方案相比，提高了0.3個百分點。

02升級系統解決方案性能

值得一提的是，由于在DC/DC級采用了CoolGaN晶體管，可讓系統解決方案性能進一步提升——通過這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源方案可提供8kW以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。

CoolSiC 400V MOSFET產品組合共包含10款產品，其中5款RDS(on) 級(11~45mΩ)產品采用開爾文源TOLL和D2 PAK-7封裝，以及.XT封裝互連技術。在Tvj = 25°C時，其漏極-源極擊穿電壓為400V，因此非常適用于2級和3級轉換器以及同步整流。這些功率器件在苛刻的開關條件下具有很高的穩健性，并且通過了100%的雪崩測試。

03應用設計靈活

高度穩定的CoolSiC技術與.XT互連技術相結合，使得半導體功率器件能夠應對AI處理器功率突變所造成的功率峰值和瞬態，同時憑借連接技術和低正RDS(on)溫度系數，即便在結溫較高的工作條件下也能發揮出色的性能。

此外，CoolSiC MOSFET基于先進的溝槽半導體工藝，經過優化可實現更低的應用損耗和更高的運行可靠性。

總結

如今，隨著AI應用日益普及，服務器電源需要更高級別的功率支持，用于AI訓練的高級GPU每個處理器所需功率將高達3kW?？紤]到每個AI服務器機架包含有多個GPU，因此PSU的額定功率將朝著8kW甚至更高級別邁進。

英飛凌新近推出了CoolSiC 400V G2碳化硅MOSFET，其優異的產品性能有助于提高系統能效和成本效益，這一特性在考慮極端AI服務器負載配置情況下尤為重要。CoolSiC G2 MOSFET采用的新一代SiC技術能夠優化設計成本，有助于設計出更加緊湊、可靠、高效的電源系統，直面未來AI數據中心更高功率的挑戰。

除了AI服務器外，該功率器件還可廣泛應用于太陽能和儲能系統(ESS)、逆變器電機控制、工業和輔助電源，以及住宅中的固態斷路器等多個領域。