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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關注25人關注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2524個 瀏覽：50343次 帖子：38個

      碳化硅技術

      一文解析SMPD封裝設計的優勢

      表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。

      2022-09-29 標簽：MOSFET充電器碳化硅 1205 0

      SiC SBD器件結構和特征

      1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

      2023-02-07 標簽：功率器件SiC碳化硅 1202 0

      SiC MOSFET在光伏逆變器的應用

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      光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產生的直流電轉換為交流電的關鍵設備。

      2023-11-15 標簽：MOSFET光伏光伏逆變器 1202 0

      碳化硅和硅相比有何性能優勢

      硅早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現在已開始被多種應用采納，特別是電動汽車，以應對開發高效率和高功率器件所...

      2023-02-03 標簽：功率器件SiC能源 1198 0

      用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

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      2024-06-19 標簽：電阻MOSFETSiC 1197 0

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      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

      2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1197 0

      有效測量碳化硅信號

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      SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應用（電動汽車充電，太陽能和風能等能量收集，電源逆變器，工業電源，數據中心）。在低端 （1–50 kW），分立式 MOSF...

      2023-05-20 標簽：晶體管SiC碳化硅 1191 0

      納微半導體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網儲能方式

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      電網通過輸電和配電網絡從發電機向用戶提供電能。在美國，由于儲能成本高昂并且設計和運營經驗有限，利用電力儲存來支持和優化輸配電一直受到限制。

      2023-09-15 標簽：MOSFET逆變器碳化硅 1189 0

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      電機動力目前已經夠用，壓榨潛力和必要性不大 在電驅最重要的“動力”屬性上，目前大多數的電車都存在動力過剩現象，以36w+的特斯拉 Model3P 為...

      2023-06-26 標簽：電機控制減速器碳化硅 1188 0

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      2024-12-05 標簽：晶體管功率器件SiC 1185 0

      碳化硅的發展趨勢及其在儲能系統（ESS）中的應用介紹

      與傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術相比，碳化硅（SiC）技術具有更多優勢

      2023-09-12 標簽：電動汽車IGBT晶體管 1185 0

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      理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...

      2023-06-03 標簽：SiC碳化硅 1181 0

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      第一代半導體材料以傳統的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產品 是用...

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      2023-02-09 標簽：二極管散熱器碳化硅 1161 0

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      SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現器件結構所需的更廣泛的p型...

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      Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓...

      2025-04-09 標簽：電動汽車IGBTLittelfuse 1158 0

      碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎？

      雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的...

      2023-03-16 標簽：電動汽車逆變器IGBT 1156 0

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      2023-08-09 標簽：MOSFET功率半導體碳化硅 1156 0

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      2024-03-28 標簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1154 0

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      2024-01-11 標簽：半導體SiC碳化硅 1153 0

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      編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題

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