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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應用中具有優勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出...
IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
盡管 5G 提升了帶寬,但其更高的頻率更容易造成信號衰減。由于更高的帶寬會導致更低的信噪比(SNR),增加帶寬并不會導致容量的線性增加。解決這一問題的一...
第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢,從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看,第三代半導體均比硅材料優秀,因此,第3代半導體的...
來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
隨著科技的不斷進步,電力電子技術在能源轉換、電機控制、電網管理和可再生能源系統等領域的應用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優秀的半導體材料,具有高頻...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優異性能,使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功...
碳化硅MOSFET器件是一種半導體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
碳化硅更高的開關頻率和更低的固有損耗提高了系統效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓撲,與基于 Si 的器件相比,該拓撲結構非常高...
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業,因為它們的技術成熟度和相對容易獲得。
為您的設計選擇最佳選項:碳化硅MOSFET相對于IGBT的優勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...
太陽能架構通常分為三種配置。在住宅層面,微型逆變器支持1-4個面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...
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