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標簽 > 硅晶圓
硅晶圓(wafer)用來制造集成電路(IC)的載板,在上面布滿晶粒,將晶粒切開后得到芯片,將芯片經(jīng)過封裝測試,制成集成電路。硅晶圓尺寸是它的直徑,目前較常見的有6、8、12英寸。
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本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的硅晶圓,硅晶圓的制備工藝流程比較復雜,加工工序多而長,所以必須嚴格控制每道工序的加工質量,才能獲得滿足...
相對于塊體材料,膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分,主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μm,厚膜一般為2μm至25μm,但厚度并不是區(qū)分薄膜...
LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長技術,在高溫高壓的條件下生長出具有所需電特性的半導體材料,如氮化鎵(GaN)。
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此...
晶棒的制備過程通常涉及液相或氣相生長技術。通過控制溫度、壓力和其他參數(shù),使材料從熔融態(tài)或氣相重新結晶,逐漸生長出大尺寸的晶體棒。生長過程中,晶體結構逐漸...
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