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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現代裝飾風格。插座配備了一個新國標五孔插孔和一個新國標兩孔插孔，并...
LED（發光二極管）已經成為了現代照明和電子領域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優點，還能夠發出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...
氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現與CP值都能有效提升。
在當今的架構中，通過采用12V的背板，工業界能夠使用具有非常好的品質因數特性的40V MOSFET 來滿足高開關頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術，與傳統的2D?LED技術相比，這將降...
高通公司總裁 Cristiano Amon 在2018 高通 4G / 5G 峰會上表示：預計明年上半年和年底圣誕新年檔期將會是兩波 5G 手機上市潮，...
氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化...
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...
氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化...
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通...
近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。
傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數還提供額外的好處，例如碳...
傳統上，線性和非線性RF電路仿真占據了不同領域。為了仿真級聯小信號增益和損耗，RF設備設計人員傳統上一直廣泛使用S參數器件模型。由于缺乏數字形式的數據（...
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