具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3317 0

使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長(zhǎng)期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本，而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

2022-04-27 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 3255 0

oppo氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中，我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別，包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器OPPO 3190 0

晶體管的主要材料有哪些

晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...

2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3169 0

相同功率氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來(lái)提供電源。相比之下，普通充電器...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻充電器氮化鎵 3158 0

氮化鎵和碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢(shì)

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較： 氮化鎵（GaN）...

2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3156 0

氮化鎵芯片生產(chǎn)工藝有哪些

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子器件半導(dǎo)體材料 3140 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 3075 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3073 0

中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無(wú)線輸電

氮化鎵不僅受到近距離無(wú)線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無(wú)線充電，而且遠(yuǎn)距離無(wú)線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。

2022-12-08 標(biāo)簽：氮化鎵無(wú)線輸電 3046 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們?cè)谛阅堋?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和...

2024-01-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵硅芯片 3020 0

氮化鎵技術(shù)的用處是什么

氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...

2024-01-09 標(biāo)簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 2965 0