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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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隨著半導體化合物持續發展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優點。以SiC和G...
高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...
PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內置...
GaN是一種無機物質，其化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發光二極管的直接帶隙半導體。該化合物在結構上類似于金雞石，具有高硬...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛...
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，...
氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，...
一個器件的成本效益，從生產基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/...
盡管基于硅的MEMS諧振器實現了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩定。
倍思氮化鎵充電器是一款優秀的充電器，具有高效、快速、安全、環保等優點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優缺點、使用體驗和與其他產品的比較，幫助您更好...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導體材料。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器...
僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...
氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優...
為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導體場效應管。它結合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優良特性，具有高速開關速度...
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