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標簽 > 氧化鎵
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在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區技術總監張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀...
2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...
2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學劉冰冰教授團隊聯合中山大學朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...
電子發燒友網綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法...
2025-02-17 標簽：氧化鎵 951 0
VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用...
? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUS...
偏振光探測與成像技術在遙感成像、機器視覺、復雜背景目標識別等領域具有廣泛的應用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現出豐富的信息獲取能力。在不同...
ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創：Xoitec 異質集成XOI技術 來源：上海微系統所，集成電路材料實驗室，異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現超高壓、大功率、...
來源:悅智網 ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導體器件作為高效電能控制和轉換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術的“幕后英雄”持續推動人類社會...
蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域戰略合作協議
來源：蘇州納米城 近日，蘇州納米城企業—蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰略合...
北京順義園內的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發及應用產業化方面取得了顯著進展，其技術已領先國際同類產品標準。
三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯合開發將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術，然后將其返還給Coherent"...
據睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰略投資...
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...
近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權威期刊《Small》上發表了題為“Phase-Dep...
氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高...
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務部工業和安全局的文件中披露，將對...
2023-11-06 標簽：氧化鎵 2638 0
近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有限公司創始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領鎵和...
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