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氧化鎵資訊

氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀和應用前景

在超寬禁帶半導體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...

2025-04-29 標簽：半導體氧化鎵泰克科技 472 0

我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導體產(chǎn)業(yè)迎新突破！

2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...

2025-03-07 標簽：半導體芯片封裝氧化鎵 1415 0

氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優(yōu)可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級！

傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！

2025-02-08 標簽：表面粗糙度氧化鎵白光干涉儀 493 0

中國第四代半導體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現(xiàn)強強聯(lián)合

2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學劉冰冰教授團隊聯(lián)合中山大學朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...

2025-02-18 標簽：半導體金剛石氧化鎵 2997 0

第四代半導體新進展：4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法...

2025-02-17 標簽：氧化鎵 946 0

鎵仁半導體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜

VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化，采用...

2025-02-14 標簽：導電氧化鎵 434 0

關(guān)于超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)的新研究

? ? 【研究梗概】在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUS...

2025-01-22 標簽：異質(zhì)結(jié)氧化鎵 469 0

半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

偏振光探測與成像技術(shù)在遙感成像、機器視覺、復雜背景目標識別等領(lǐng)域具有廣泛的應用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...

2025-01-02 標簽：半導體探測器氧化鎵 725 0

ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

原創(chuàng)：Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實驗室，異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡介超寬禁帶氧化鎵是實現(xiàn)超高壓、大功率、...

2024-11-13 標簽：MOSFET 封裝氧化鎵 1195 0

異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

來源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等功率半導體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動人類社會...

2024-10-21 標簽：氧化鎵功率半導體器件異質(zhì)集成 789 0

蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域戰(zhàn)略合作協(xié)議

來源：蘇州納米城近日，蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰(zhàn)略合...

2024-07-02 標簽：半導體晶圓氧化鎵 684 0

北京銘鎵半導體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破

北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標準。

2024-06-05 標簽：半導體氧化鎵 1418 0

三菱電機斥資9000億加速研發(fā)氧化鎵

三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，然后將其返還給Coherent"...

2024-04-07 標簽：三菱電機功率半導體碳化硅 1024 0

我國實現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破

氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

2024-03-22 標簽：半導體材料氧化鎵 839 0

晶旭半導體獲睿悅控股集團億元戰(zhàn)略投資

據(jù)睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰(zhàn)略投資...

2024-02-05 標簽：半導體氧化鎵 1171 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

2023-12-29 標簽：功率器件 SiC GaN 1927 0

武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

近日，武漢大學工業(yè)科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dep...

2023-12-25 標簽：太陽能電池二極管氧化鎵 2212 0

基于晶圓級高導熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現(xiàn)在高...

2023-11-15 標簽：晶圓 SiC 射頻器件 2248 0

氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進一步，本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對...

2023-11-06 標簽：氧化鎵 2633 0

北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術(shù)委員會委員北京鎵和半導體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領(lǐng)鎵和...

2023-10-25 標簽：半導體探測器氧化鎵 1244 0

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