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標(biāo)簽 > 氧化鎵
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氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展
氧化鎵應(yīng)用范圍從實現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場基礎(chǔ)設(shè)施等各個方面。但Ga2O3還是存在一個重要的直接缺點：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...
2019-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應(yīng)晶體...
氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...
β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測以及超高壓功率器件方面優(yōu)勢非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm...
由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過，相對來說，這些缺點對功...
高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展
氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點，是日盲紫外探測理想的...
第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5008 0
一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域
氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...
氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域
我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4318 0
使用導(dǎo)模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析
晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)...
四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀，氧化鎵新進(jìn)展介紹
半導(dǎo)體內(nèi)部的價電子通常被共價鍵束縛，無法自由移動，自然也就無法參與導(dǎo)電。所有價電子所處的能帶區(qū)域被稱為價帶，價電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時
氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊已在實驗室實現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-02-27 標(biāo)簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 2826 0
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強(qiáng)高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2592 0
中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展
該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對β-Ga2O3雙極型器...
2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2507 0
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...
作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料
反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能...
重點從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對 Ga2O3基 SBD 的進(jìn)一步發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。
2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 1536 0
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