一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優(yōu)化和軍事應用等領域都有重要的應用。由于紫外光在很多領域中具有重要的研究和應用價值，日盲紫外探測器的發(fā)展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)網（www.casmita.com）、第三代半導體產業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，中山大學裴艷麗教授帶來了“基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究”的主題報告。報告中介紹，日盲紫外探測器在軍事和民用領域都有廣泛的應用，選擇合適的材料是實現日盲特性的關鍵之一。氧化鎵（Ga2O3）的禁帶寬度可高達5eV，作為超寬帶隙半導體材料，無需進行能帶調控，即可進行日盲紫外波段的探測，加之優(yōu)異的化學、物理性質使得氧化鎵材料成為研制日盲紫外探測器的天然材料，無論國防還是民用領域都有著急切需求。

氧化鎵擁有五種同分異構體，分別為α, β, γ, δ, 和 ε。相比于穩(wěn)定的β相氧化鎵，其中具有正交結構的ε相氧化鎵晶體對稱性更好，可以在商用襯底如SiC、GaN、藍寶石等單晶襯底上進行大面積異質外延，降低氧化鎵基紫外探測器的成本，并且有望通過與GaN， AlN等相結合構建高性能日盲紫外探測器。

同時，ε氧化鎵是一種鐵電半導體，具有非常強的自發(fā)極化，這也將為新型日盲紫外探測器的設計提供新思路。目前，ε氧化鎵的高質量制備和探測器應用研究尚不成熟。

研究基于MOCVD的方法在藍寶石襯底上制備高質量的ε氧化鎵，研究制備工藝、后退火，以及F離子表面處理等多種手段對ε氧化鎵日盲紫外探測性能的影響，揭示外延層缺陷、器件表面特性等影響探測性能的機制，為ε氧化鎵基日盲紫外探測器的發(fā)展提供實驗和理論支撐。

研究采用兩步法MOCVD外延了ε氧化鎵，并對比了H2O和N2O作為氧源對紫外探測性能的影響。XRD、AFM、CL等手段分析表明，H2O作為氧源可提高結晶質量，降低缺陷密度，并獲得了光暗電流比（PDCR）為1.0×103，響應上升時間0.55 s, 衰減時間為0.58 s/3.14s的紫外探測性能。700度以上高溫后退火，發(fā)生相轉變，探測器性能劣化。

低溫退火可有效的消除氧空位等點缺陷，降低暗電流，改善光暗電流比和響應時間特性。經過640度退火的日盲紫外探測器，暗電流降低至0.069pA，拒絕比（Rpeak/R400）達到2.4×104, 光暗電流比達到3×105。F表面處理在表面引入二維電子氣，改善探測器歐姆接觸特性，同時表面的電子勢井，改善器件的響應時間，顯著增加探測靈敏度和提高增益。

審核編輯：劉清