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標(biāo)簽 > 氧化鎵
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利用機器學(xué)習(xí)結(jié)合實驗揭示非晶氧化鎵原子結(jié)構(gòu)與熱輸運的關(guān)系
非晶(無定形)材料指原子排列缺乏長程周期性的固體材料,普遍存在于自然界中,也是工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和...
2023-06-27 標(biāo)簽:熱管理原子機器學(xué)習(xí) 1421 0
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上(ACS Nano,2021,15:16654),經(jīng)過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-04 標(biāo)簽:探測器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1325 0
氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究
半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體,GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。
基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-09 標(biāo)簽:二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1134 0
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺,...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上(ACS Nano,2021,15:16654),經(jīng)過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點,包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性,有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?,越來越得?..
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進行了概括總結(jié),展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。
2023-03-30 標(biāo)簽:功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 545 0
Ga2O3與硅(Si)相比具有耐壓高、功耗低、大尺寸單晶比較容易制作等特點。因此,作為搭載于電動汽車等的功率半導(dǎo)體材料的候補材料而備受矚目。
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告
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