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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...
半導(dǎo)體后端工藝:探索不同材料在傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的作用(下)
焊錫是一種熔點(diǎn)較低的金屬,這種特性使其廣泛用于各種結(jié)構(gòu)的電氣和機(jī)械連接。
2023-11-24 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝 1286 0
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
互連技術(shù)是封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過封裝互連,以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同,互連方法也...
要了解混合鍵合,需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí),微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式,在芯片之間提供...
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
淺談人工智能工作負(fù)載對(duì)處理器設(shè)計(jì)的影響
人工智能還可能在小芯片領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,在那里,半定制和定制硬件模塊可以被表征并添加到設(shè)計(jì)中,而無需從頭開始創(chuàng)建一切。英特爾和AMD等大型芯片制造商...
半導(dǎo)體封裝的四個(gè)主要作用,包括機(jī)械保護(hù)、電氣連接、機(jī)械連接和散熱。封裝的形狀和尺寸各異,保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。
2023-11-20 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝WLCSP封裝 1.7萬 0
TSV 指 Through Silicon Via,硅通孔技術(shù),是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV...
半導(dǎo)體封裝方法,大致可以分為兩種:傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶圓級(jí)封裝則是先在...
在猶他州李海,德州儀器 (TI) 開始建設(shè)其 300 毫米半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)施(或“晶圓廠”)。TI 總裁兼首席執(zhí)行官 Haviv Ilan 在州和地方民...
Vishay將以約1.77億美元的現(xiàn)金收購Nexperia位于英國(guó)南威爾士紐波特的晶圓廠和運(yùn)營(yíng)。這是兩家公司宣布的。總部位于西雅圖的ATREG, Inc...
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新...
晶圓承載系統(tǒng)是指針對(duì)晶圓背面減薄進(jìn)行進(jìn)一步加工的系統(tǒng),該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個(gè)步驟:首先是載片鍵合,需將被用于硅通孔封裝的晶...
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