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標(biāo)簽 > 工藝
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基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ),外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測,以...
CMOS 工藝技術(shù)平臺的方塊電阻的測試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻,它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平...
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論,但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線(圖 1-3)是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...
其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基,自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍,能奪取其他原子或分子的電子形...
等離子體,英文名稱plasma,是物質(zhì)的第四態(tài),其他三態(tài)有固態(tài),液態(tài),氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài),又被稱為‘電漿’,具有帶電性和流動性的特點。
通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管
最近,氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而,為了實現(xiàn)固態(tài)照明,需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...
PCB埋阻埋容工藝是一種在PCB板內(nèi)部埋入電阻和電容的工藝。通常情況下,PCB上電阻和電容都是通過貼片技術(shù)直接焊接在板面上的,而埋阻埋容工藝則將電阻和電...
在半導(dǎo)體清洗過程中,作為取代 現(xiàn)有濕化學(xué)清洗液的新型濕式溶液,將臭氧溶解到純中,被稱為僅次于氟的強氧化劑,是PR去除工藝和雜質(zhì)清洗。這種臭氧水方式的濕洗...
氣膜冷卻技術(shù)是支撐航空發(fā)動機熱端部件承溫能力提升的關(guān)鍵核心技術(shù),使冷卻氣流經(jīng)過氣膜孔等冷卻結(jié)構(gòu)噴射而出,形成覆蓋熱端部件表面的冷卻氣膜,使其免受高溫燃?xì)?..
半導(dǎo)體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細(xì)化的關(guān)鍵(上)
在半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形...
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