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標(biāo)簽 > 工藝
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細(xì)間距小尺寸的焊盤(pán)鍵合工藝是微波組件自動(dòng)鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對(duì)具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改...
前段工藝(Front-End)、中段工藝(Middle-End)和后段工藝(Back-End)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的三個(gè)主要階段,它們?cè)谥圃爝^(guò)程中扮演著不...
半導(dǎo)體選擇性外延生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見(jiàn)下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...
2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 2258 0
雙色紅外探測(cè)器具有抗干擾能力強(qiáng)、探測(cè)波段范圍廣、目標(biāo)特征信息豐富等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、氣象服務(wù)、精確制導(dǎo)、光電對(duì)抗和遙感衛(wèi)星等領(lǐng)域。雙色紅外...
半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類,包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(zhǎng)(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...
目前,微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐步演變?yōu)樵O(shè)計(jì)、制造和封裝三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)。微電子封裝技術(shù)即半導(dǎo)體封裝技術(shù),又稱先進(jìn)集成電路封裝。半導(dǎo)體封裝包括組裝(Assemb...
晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...
SiP封裝是指將多個(gè)不同芯片集成在同一個(gè)封裝體內(nèi),形成一個(gè)器件系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為...
汽車線束素有汽車神經(jīng)之稱,是對(duì)汽車進(jìn)行電信號(hào)控制的載體,汽車線束是汽車電路的網(wǎng)絡(luò)主體,沒(méi)有線束也就不存在汽車電路。目前,不管是高級(jí)豪華汽車還是經(jīng)濟(jì)型普通...
低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是一種新型多層基板工藝技術(shù),采用了獨(dú)特的材料體系,因其燒結(jié)溫度低,可與金屬導(dǎo)體共燒,從而提高了電子器件性能。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用...
在前幾篇文章(點(diǎn)擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到,為制作巧克力夾心,需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,...
由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí),MFP就較長(zhǎng)(b)。大粒子的截面積較大,掃過(guò)的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...
晶圓制造recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類及構(gòu)建和驗(yàn)證方式
本文介紹了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類,以及構(gòu)建和驗(yàn)證方式,并介紹了優(yōu)化方向。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配...
本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成,包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查,研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響,以幫助詳細(xì)了解...
半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
摘 要:針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度,分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)介紹集成電路...
InAs/GaSb II類超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu),可以...
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