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深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。
BASiC半導體SiC方案如何突破車載OBC及壁掛充電效率與功率極限
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基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發展的今天，碳化
近日，2025粵港澳大灣區車展在深圳國際會展中心(寶安)隆重開幕，在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會上，基本半導體正
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅
基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導體攜全系列
近日，深圳市新能源和智能網聯汽車產業鏈黨委系列活動——“智馭未來”交流會在坪山青銅劍科技大廈舉行。近50家產業鏈上下游企
在工商業儲能系統中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器
革新電源體驗！基本半導體Pcore?2 E2B工業級碳化硅半橋模塊強勢來襲
隨著可再生能源、電動汽車等領域的快速發展，傳統硅基半導體的性能瓶頸逐漸顯現。如何在高壓、大功率應用中實現更高效率、更低損
近日，基本半導體憑借出色的產品質量和優質的客戶服務，再次獲得客戶的高度認可，榮獲由麥田能源頒發的2024年度“最佳供應商
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設有研發中心。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內外知名高校及研究機構的十多位博士。
基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101可靠性測試，其他同平臺產品也將逐步完成該項測試。基本半導體碳化硅功率器件產品被廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。
基本半導體與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是深圳第三代半導體研究院發起單位之一，廣東省未來通信高端器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心，公司及產品榮獲2020“科創中國”新銳企業、“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。
在工商業儲能系統中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應用，儲能PCS的效率、...
基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片，集成上電軟啟動功能及過溫保護功能，輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設...
隨著可再生能源、電動汽車等領域現代電力應用的發展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料具有適合高壓、大功率應用的優良特性，在650...
隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優異的材料特性，成為了下一代車...
相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關速度、導通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應用于新能源汽車、工業、交通、醫療等...
國芯思辰｜基本半導體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應用于PFC電路
PFC電路廣泛應用于高頻開關電源（特別是通信電源）中。現階段，PFC電路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，電源的損耗較大，效率偏低。在電源的PFC電路...
國芯思辰｜基本半導體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機二次側整流
車載充電機可實現交流輸入（85VAC~265VAC）/直流輸出（200VDC-750VDC）輸出的功能，其電路的核心架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
可靠性，是指產品在規定時間內和條件下完成規定功能的能力，是產品質量的重要指標，如果在規定時間內和條件下產品失去了規定的功能，則稱之為產品失效或出現了故障...
淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應用
基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產，目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，申請兩百余項發明專利，產品性能...
基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉換器的優勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復二...
6月11-13日，全球光儲產業年度盛會——SNEC PV&ES 第十八屆(2025)國際太陽能光伏和智慧能源&儲能及電池技術與裝備（上海...
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其...
近日，2025粵港澳大灣區車展在深圳國際會展中心(寶安)隆重開幕，在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會上，基本半導體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
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隨著全球電動汽車(EV)市場的爆發式增長，車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器及直流快充樁對高效、高功率密度的需求日益迫切。碳化硅(SiC)器件憑借其...
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ...
基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕。基本半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅動解決方案...
近日，深圳市新能源和智能網聯汽車產業鏈黨委系列活動——“智馭未來”交流會在坪山青銅劍科技大廈舉行。近50家產業鏈上下游企業、金融機構、高校及產業投資方齊...
革新電源體驗！基本半導體Pcore?2 E2B工業級碳化硅半橋模塊強勢來襲
隨著可再生能源、電動汽車等領域的快速發展，傳統硅基半導體的性能瓶頸逐漸顯現。如何在高壓、大功率應用中實現更高效率、更低損耗？答案是碳化硅（SiC）。作為...
近日，基本半導體憑借出色的產品質量和優質的客戶服務，再次獲得客戶的高度認可，榮獲由麥田能源頒發的2024年度“最佳供應商”獎項。這一榮譽不僅是對基本半導...
近日，由國家能源局主辦、深圳市發展改革委承辦的2024年推進高質量充電基礎設施體系建設座談會在深圳隆重召開。其中，基本半導體“高壓快充的碳化硅功率器件應...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
|
|
| B1D04065F |
獲取價格
|
||
| B1D20120H | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):[email protected]; |
獲取價格
|
|
| B1D10065KF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
|
| B1D10065E | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
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