BASiC半導體SiC方案如何突破車載充電效率與功率極限

引言：電動汽車充電技術的革新浪潮

隨著全球電動汽車(EV)市場的爆發式增長，車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器及直流快充樁對高效、高功率密度的需求日益迫切。碳化硅(SiC)器件憑借其高頻、耐高溫、低損耗的特性，正成為這一領域的核心技術。BASiC半導體通過新一代SiC MOSFET、肖特基二極管及驅動解決方案，為行業提供了更高效率、更小體積、更低成本的完整技術路徑。本文深度解析其技術亮點與應用實踐。

傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。

一、SiC器件選型：為不同場景精準匹配

BASIC半導體針對車載充電與直流樁的多樣化需求，推出多套優化方案：

單級PFC+LLC拓撲(3.3kW/6.6kW)：

采用 B3M040065Z SiC MOSFET(650V/40mΩ)，搭配驅動芯片 BTDS350MCPR，實現單級高效率轉換。

圖騰柱PFC+CLLC方案(6.6kW/11kW)：

高壓側使用 AB2M080120H MOSFET(1200V/80mΩ)，副方支持400V/800V電池平臺，適配雙向能量流動需求。

三相PFC+CLLC方案(22kW)：

采用 AB2M040120Z MOSFET(1200V/40mΩ)，結合驅動芯片 BTD5350MCWR，滿足大功率快充樁需求。

關鍵優勢：通過靈活的器件組合，BASIC方案在400V/800V平臺下均能實現>96%的系統效率，顯著降低散熱需求。

二、性能實測：效率與可靠性的雙重突破

1. 仿真與實測數據驗證

無橋PFC拓撲(6.6kW)：在220Vac輸入下， B3M040065Z MOSFET 總損耗僅 29.41W，結溫穩定在 141°C，較傳統硅器件降低損耗30%以上。

高溫穩定性：在125°C環境下，BASIC第三代SiC MOSFET(如 B3M040120Z)的導通電阻(RDS(on))溫漂系數僅為 1.3倍，優于國際競品。

2. 國際對標：FOM值全面領先

BASIC的 B3M040065Z(650V/40mΩ)FOM值(RDS(on) × Qg)為 2400 mΩ·nC，顯著低于CREE(2835)和ST(1687.5)，開關損耗降低20%-30%。

1200V系列 B3M040120Z 在800V母線電壓下，關斷損耗較競品減少 30%，總損耗優化 4%，適合高壓平臺長期運行。

三、驅動解決方案：破解SiC應用痛點

1. 米勒鉗位功能：杜絕誤開通風險

BASIC驅動芯片 BTD5350MCWR 集成米勒鉗位電路，實測顯示：

在800V/40A工況下，下管門極電壓從 7.3V(無鉗位)降至2V(有鉗位)，徹底避免橋臂直通。

反向恢復電荷(Qrr)低至 0.16μC，與CREE、Infineon方案持平，但成本降低15%。

2. 即插即用驅動板

型號 BSRD-2423-ES01 支持24V/5V雙輸入，單通道輸出峰值電流 10A，適配1200V SiC MOSFET。

配套電源芯片 BTP1521F(6W輸出)與隔離變壓器 TR-P15DS23-EE13，實現 全鏈路國產化替代，縮短客戶開發周期。

四、技術創新：從器件到系統的全棧優勢

封裝革新：TOLL、TOLT、QDPAK等新封裝降低寄生電感50%，熱阻改善30%，支持高頻化設計(>100kHz)。

雙向能量流動：通過CLLC拓撲與SiC器件協同，支持V2G(車到電網)應用，拓展商業場景。

高性價比：BASIC第三代平面柵工藝(對比溝槽柵)在相同RDS(on)下成本降低20%，且高溫性能更穩定。

搶占下一代充電技術的制高點

BASiC半導體通過 SiC器件+驅動+系統方案 的全棧布局，不僅解決了車載充電與壁掛直流樁的高效、高可靠性需求，更以國產化供應鏈優勢助力客戶降本增效。無論是6.6kW家用OBC，還是壁掛直流樁，BASiC的SiC技術正重新定義電動汽車的“能量心臟”。

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讓效率與功率，再無邊界。