SEMI：全球半導(dǎo)體材料市場最新排名，大陸第二

2022年全球半導(dǎo)體材料市場收入達(dá)到727億美元。

2023-06-16 標(biāo)簽：太陽能電池晶圓半導(dǎo)體材料 1684 0

未來的顯示器將會(huì)長啥樣?

傳統(tǒng)LCD的光源一般為LED，但是它發(fā)出的色光并不純凈。而量子點(diǎn)發(fā)出的綠光和紅光相比LED發(fā)出的光更加純凈，因此量子點(diǎn)膜的加入，可讓LCD能顯示出更加真...

2023-04-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料顯示技術(shù)量子點(diǎn) 1130 0

化工新材料的應(yīng)用有哪些

聚烯烴彈性體（POE）指α-烯烴含量大于20%的乙烯和長鏈α-烯烴無規(guī)共聚物，POE的特殊結(jié)構(gòu)賦予其良好的彈性、熱塑性和透明性等特點(diǎn)，可作為輕量化抗沖擊...

2023-03-29 標(biāo)簽：碳纖維半導(dǎo)體材料新材料 2669 0

被卡脖子的半導(dǎo)體材料（萬字深度報(bào)告）

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠...

2023-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料晶圓制造 6526 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8626 0

2022年中國膜材產(chǎn)業(yè)投資總額超千億規(guī)模，電池隔離膜占主導(dǎo)

在全球面板產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移的大背景下，考慮到供應(yīng)鏈經(jīng)濟(jì)性及安全性，光學(xué)膜作為顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈中的重要原材料，其國產(chǎn)替代已成趨勢。光學(xué)膜位于顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈...

2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料電池隔離 1663 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2585 0

第三代半導(dǎo)體能否引發(fā)電子芯片業(yè)的一次革新？

在這種情況下，第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件電子芯片 1683 0

第三代半導(dǎo)體能否引領(lǐng)電子芯片業(yè)的一次革新？

在這種情況下，第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...

2023-02-01 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體材料 805 0

進(jìn)一步計(jì)算發(fā)現(xiàn)，該策略對(duì)于其他過渡金屬硫族化合物半導(dǎo)體（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普適性。在實(shí)驗(yàn)上，團(tuán)隊(duì)發(fā)展出高溫蒸鍍工藝在MoS2上實(shí)現(xiàn)了S...

2023-01-13 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 895 0

氧化鎵-新一代功率器件半導(dǎo)體材料

β-Ga2O3相對(duì)較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...

2023-01-03 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 2349 0