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標(biāo)簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程,或指晶體管門電路的尺寸,單位為納米(nm)。主流的CPU制程已經(jīng)達(dá)到了7-14納米(AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝,intel第9代全面采用14nm),更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達(dá)到了4nm或更高,已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對象,在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上,探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護(hù)、電氣功能實現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散...
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種,都是通過不同工藝的組合來實現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。 其中目前采用最多的是電鍍通孔法,電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀(jì)的發(fā)...
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種,都是通過不同工藝的組合來實現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。其中目前采用最多的是電鍍通孔法,電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀(jì)的發(fā)展...
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點,高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...
輸入失調(diào)電壓的測試方法是將運(yùn)放的兩個輸入端接地,測輸出電壓,理想運(yùn)放此時輸出應(yīng)該是0V,但由于制造工藝問題會造成兩個輸入端不對稱
2023-02-22 標(biāo)簽:運(yùn)放制造工藝失調(diào)電壓 1333 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒有明確的答案,但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程),不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
增大絕緣紙的包絡(luò)尺寸,意味著插紙時,絕緣紙與鐵芯內(nèi)壁貼合更緊密,絕緣紙穿出鐵芯槽時摩擦力增大,將大幅增加絕緣紙插入時卷邊、變形的風(fēng)險。
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國人N...
LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問題的優(yōu)化方案
現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計的電路版圖,并將多個元...
3D打印主要通過一次一層地構(gòu)建對象來創(chuàng)建零件。與傳統(tǒng)的制造技術(shù)(例如CNC加工)相比,3D打印技術(shù)具有許多優(yōu)勢,本文主要闡述3D打印相對于傳統(tǒng)制造工藝的...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序,為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題,根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...
電子封裝是芯片成為器件的重要步驟,涉及的材料種類繁多,大量材料呈現(xiàn)顯著的溫度相關(guān)、率相關(guān)的非線性力學(xué)行為。 相關(guān)工藝過程中外界載荷與器件的相互作用呈現(xiàn)典...
射頻前端(RFFE,RadioFrequency Front-End)模組國內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier...
陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低,在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、LD(激光二極管)...
半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
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