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標簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆粒”是中國港臺地區(qū)對內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個閃存顆粒。
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其實 ODT 技術(shù)的具體內(nèi)部構(gòu)造并不十分復(fù)雜。在內(nèi)存各種引腳與內(nèi)存模組的內(nèi)部緩沖器中間設(shè)有一個 EMRS 擴展模式寄存器,通過其內(nèi)部的一個控制引腳可以控...
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
8個接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個芯片接一個數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
長鑫原廠DRAM顆粒的臺電騰龍G40內(nèi)存詳細測評方案
一、前言:長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學提到臺電內(nèi)存,可能會覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會有什么亮點,不過這一次...
處理器和顯卡對性能的影響是立竿見影,很容易通過跑分軟件量化對比。然而,在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能,進而有損實際體驗。
存儲單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個L-Bank的存儲單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲單元的總數(shù),單位是兆...
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當時,半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器,存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失,也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器,用于存儲運算數(shù)據(jù),...
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計
DDR是運行內(nèi)存芯片,其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標識上采...
2023-07-28 標簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計 4807 0
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進制程工藝的技術(shù),特...
在如此巨大的沖擊之下,對于高通而言,錯過恩智浦這個近年來最為優(yōu)質(zhì)的一塊“標的”將會十分遺憾。這在一定程度上將減慢高通未來的轉(zhuǎn)型進程。但高通認為,盡管沒能...
2018-07-31 標簽:物聯(lián)網(wǎng)接觸器內(nèi)存芯片 9.8萬 0
三星Galaxy A6s是一款專為中國消費者定制打造的高顏值精工誠品,沿襲了三星經(jīng)典的外觀輪廓設(shè)計。在色彩工藝方面突破常規(guī)的采用了玻璃機身,活力的色彩在...
道內(nèi)存是高頻率快速的存儲器件,通電工作,斷電則所有數(shù)據(jù)清空。閃存內(nèi)類似于硬盤,屬于容數(shù)據(jù)存儲模塊,不需加點也可以保存數(shù)據(jù)完整。
7月31日,三星電子報告了2019年第二季度的財務(wù)業(yè)績。 三星電子第二季度收入下降4%至56.13萬億韓元,營業(yè)利潤下降55.6%至6.6萬億韓元。凈利...
77個受害者一起將華為告上了法庭,深圳市龍崗區(qū)法院宣判了
目前智能手機上主流的內(nèi)存芯片選擇上會集中在三種方案,一個是eMMC5.1,一個是UFS2.0,而另外一個是UFS2.1,三者最大的區(qū)別在速度反應(yīng)上,這個...
從韓國半導(dǎo)體發(fā)展史中看美國制裁中興事件:自主創(chuàng)新才不受制于人
“美國的禁令可能導(dǎo)致中興通訊進入休克狀態(tài)”。 在4月20日一場發(fā)布會上,中興通訊董事長殷一民坦率地承認了美方出臺的禁令對公司造成的影響。此前,美國商務(wù)部...
威剛導(dǎo)入長鑫存儲DDR4顆粒,國產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力
今年2月底,長鑫存儲官方宣布,符合國際標準規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正...
SK海力士宣布江蘇無錫第二工廠已經(jīng)竣工 計劃今年5月正式投入量產(chǎn)
近日,韓國DRAM內(nèi)存芯片巨頭SK海力士宣布,位于江蘇無錫的第二工廠(C2F)已經(jīng)竣工,產(chǎn)出的第一批晶圓良品率也符合預(yù)期,計劃今年5月正式投入量產(chǎn)。
2021年全球存儲芯片產(chǎn)品SSD價格出現(xiàn)急漲
2021年存儲芯片產(chǎn)品確定要進入牛市周期了,1月份的內(nèi)存價格已經(jīng)全面開漲,漲幅在5%以上,現(xiàn)在也輪到閃存產(chǎn)品了,SSD價格也出現(xiàn)了急漲。
2018年全球DRAM內(nèi)存芯片總價值將首次突破1000億美元大關(guān)
對于三星電子DS部門而言,數(shù)據(jù)中心使用的DRAM芯片和大容量存儲的NAND閃存需求持續(xù)旺盛,推動半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)實現(xiàn)強勁盈利。除此之外,三星電子其他業(yè)務(wù)表...
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