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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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負(fù)性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟a(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
韓國(guó)光刻膠供應(yīng)過度依賴進(jìn)口,目前供應(yīng)不足導(dǎo)致庫(kù)存量告急
日前,據(jù)韓媒ETnews報(bào)道,韓國(guó)的光刻膠供應(yīng)出現(xiàn)了短缺狀況,導(dǎo)致庫(kù)存量降低到了通常標(biāo)準(zhǔn)的3個(gè)月供應(yīng)庫(kù)存以下。 韓國(guó)的光刻膠一向都主要靠日本廠商進(jìn)口供給...
2022-04-19 標(biāo)簽:光刻膠 1656 0
摘要 幾個(gè)旨在補(bǔ)救的實(shí)驗(yàn)結(jié)果在噴濕化學(xué)品時(shí),光刻膠粘附失效報(bào)道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蝕。 幾個(gè)確定了影響?zhàn)じ胶宛じ降囊蛩夭捎脤?shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)...
受日本管制三年后,韓國(guó)半導(dǎo)體材料依然難以擺脫陰霾
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2019年7月,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將對(duì)用于智能手機(jī)及電視機(jī)的半導(dǎo)體等制造過程中需要的3種材料加強(qiáng)面向韓國(guó)的出口管制。這3...
2022-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠 5031 0
微泡對(duì)臭氧水去除光刻膠的影響實(shí)驗(yàn)
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率,這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外,臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入...
來源:?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個(gè)行業(yè)? 光刻膠,又稱“光致抗蝕劑”,是光刻成像的承載介質(zhì),可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信...
關(guān)于濕蝕刻中蝕刻劑擴(kuò)散到深紫外光刻膠中的研究報(bào)告
引言 在許多集成電路制造步驟中,化學(xué)蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實(shí)上,它能夠?qū)崿F(xiàn)更好的表面光滑度控制,這是獲得足夠的載流子遷移率至關(guān)重要的。在這些步驟中...
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料,換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
引言 顯影過程中顯影劑溶液的溫度會(huì)對(duì)抗蝕劑性能產(chǎn)生重大影響。速度隨著溫度以復(fù)雜的方式變化,通常導(dǎo)致“更快”的抗蝕劑工藝的反直覺結(jié)果。顯影速率對(duì)劑量(或?qū)?..
從晶圓到芯片,有哪些工藝流程?晶圓制造工藝流程步驟如下: 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻膠 5.用干法氧化法將氮化硅去除 6.去除...
關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合
最近光博會(huì)上看到一本關(guān)于光刻的小冊(cè)子,里面有一點(diǎn)內(nèi)容,分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理:一般的...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近期,大基金減持大有加速之勢(shì),9月以來多家半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)布公告成,股東大基金擬減持公司股份,包括三安光電、雅克科技、萬業(yè)企業(yè)...
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