2022 年 4 月 21日,中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協議,四家公司計劃聯合制定行業的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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意法半導體宣布,其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz,在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:24
1298 
意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:09
1257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:22
3744 半導體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯網(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22
949 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動,象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:03
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芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉換到14nm FinFET工藝,將會增加50%的成本,這個代價值得嗎?雖然FinFET能實現令人印象深刻的性能數據。
2016-05-11 09:33:19
1337 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:32
1132 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該公司的技術藍圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展,首先是
2016-07-28 08:50:14
1068 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當14納米節 點,FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設計成本也低25%左右,并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:02
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鰭式晶體管(FinFET)制程技術外,也投入全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)市場,并推出22納米及12納米FDX制程平臺,搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22
845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的,格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:09
8151 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時,FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯,人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:57
12372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:19
9631 在美國的三星代工論壇上,Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯網測試芯片和開發板。
2019-06-05 16:59:01
1398 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:41
5772 絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發10納米低功耗工藝技術模塊,該技術未來將進一步向7納米拓展,這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露,FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現有設計兼容,并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19
428 這種襯底也提高了產品的絕緣水平與線性度;第四,RF SOI可以集成邏輯與控制功能,這是GaAs工藝無法做到的,所以GaAs器件在應用當中需要再搭配一顆控制芯片,采用RF SOI工藝就可以把PA和控制功能
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術是一種新的工藝技術,有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
描述萊迪思HX4K FPGA 突破這款 FPGA 分線板旨在記錄如何開始 FPGA 編程,從硬件設計文件到加載比特流。為了嘗試將其作為一個項目進行訪問,該板的一個設計目標是使其能夠僅使用烙鐵進行手工
2022-08-23 07:21:04
RISC-V應用的萊迪思FPGA可以推動數以百萬計的高效創新應用的開發。SiFive是基于開放和免費RISC-V架構的芯片和處理器核心IP解決方案的主要供應商。它擁有一支由經驗豐富的RISC-V發明者
2020-07-27 17:57:36
(G.8275.2)T-BC、T-TSC C類的ITU定時特性(G.8273.2)基于萊迪思FPGA的全新開發平臺也已添加到萊迪思ORAN方案中。包括了FPGA板和定時源開發板的安全定時和同步套件旨在簡化新的電信應用的測試、演示和開發。
2023-03-03 16:52:10
工藝節點中設計,但是 FD-SOI 技術提供最低的功率,同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比,28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數據轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗,以
2023-02-07 14:11:25
從前端到全端:JavaScript逆襲之路
2019-07-29 14:45:10
這種襯底也提高了產品的絕緣水平與線性度;第四,RF SOI可以集成邏輯與控制功能,這是GaAs工藝無法做到的,所以GaAs器件在應用當中需要再搭配一顆控制芯片,采用RF SOI工藝就可以把PA和控制功能
2017-07-13 09:14:06
國產有哪些FPGA入門?萊迪思半導體?高云半導體?
2023-12-05 16:05:38
開發的 CMP 工藝,我們平面化了沉積在 SOI 波導電路上的 BCB 層,并成功地將 III-V 芯片粘合到這種平面化的 SOI 波導上。接合后BCB層的總厚度為200nm,而接合層本身的厚度為
2021-07-08 13:14:11
,FPGA能否在以便攜產品為主體的消費電子領域占到一席之地呢?對于這個問題,萊迪思半導體公司給出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28
量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年,三星成功生產了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產首款商用eMRAM。 據三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術制作
2023-03-21 15:03:00
其余部分的橋接。可編程邏輯器件FPGA芯片LCMXO2-640HC-4TG100C----互連-可穿戴設備解決方案應用處理器的I/O限制是否成為了您的設計障礙?萊迪思FPGA能夠幫助您。使用萊迪思FPGA
2019-09-20 15:13:30
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用?
2021-06-26 07:14:03
接口。”理想的解決方案是采用低成本的現場可編程門陣列(FPGA),如萊迪思半導體的 iCE40UltraPlus?器件(圖 3)。圖 3.FPGA 價格較低且非常靈活使用 FPGA 實現單線聚合功能
2020-10-23 09:16:56
I2C 通道替代其中一個 I2S 接口。”理想的解決方案是采用低成本的現場可編程門陣列(FPGA),如萊迪思半導體的 iCE40 UltraPlus?器件( 圖 3)。圖 3. FPGA 價格較低且非常
2021-05-25 14:36:00
位色深)。 萊迪思實現了同時支持DVI TX和RX功能的參考設計。該設計利用了LatticeECP3或LatticeECP2M FPGA系列中的CML SERDES通道,來支持更高速率的DVI傳輸
2019-06-05 05:00:17
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補了中國TD-SCDMA產業鏈發展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
編譯經過訓練的神經網絡模型并將其下載到CrossLink-NX FPGA中。圖6:sensAI支持多種AI算法模型CrossLink-NX FPGA采用28nm FD-SOI工藝制造,與同類FPGA競
2020-10-23 11:43:04
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
國內超過100億元的FPGA市場中,國產市占率僅為4%。目前,全球FPGA市場基本被四大巨頭壟斷:Xilinx(賽靈思)、Intel(英特爾,此前收購了Altera)、Lattice(萊迪思)、Mic...
2021-07-30 06:32:06
。此外,FPGA通常有很寬的溫度范圍,并有很長的產品生命周期。 針對ECP2M和ECP3器件系列,萊迪思(Lattice)半導體公司最近推出了DVI/HDMI接口的參考設計。萊迪思半導體公司
2019-06-06 05:00:34
、開發軟件和駕駛員監控系統的注意力跟蹤等演示。以下是這些演示的詳細信息。萊迪思Avant-E先聲奪人· 萊迪思Avant-E FPGA是基于萊迪思Avant?平臺的首款器件,該平臺旨在為中端FPGA市場
2023-02-21 13:40:29
22nm以后的晶體管技術領域,靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42
559 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:42
1508 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃,打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56
427 意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:50
1201 日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術,這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術的能力。
2012-12-14 08:45:27
793 意法半導體(ST)宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術獎。根據客戶的節能與性能權衡策略,FD-SOI芯片本身可節約20%至50%的能耗,使終端設備可更快散熱,并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43
913 置凌動處理器,把凌動E600處理器和Altera的FPGA集成到一個多芯片封裝之中,開啟了處理器和FPGA融合的新時代。
2015-02-04 09:37:05
989 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息,上海復旦微電子已經下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22
912 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力,格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:42
5975 集微網消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導體供應商意法半導體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術平臺,以支持用于工業及消費
2018-01-10 20:44:02
707 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導體(ST)的大單進補,在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:03
1411 在工藝節點進展方面,三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示,三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:00
1703 ST表示,與傳統的塊狀硅技術相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00
705 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術,除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程,以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:00
2368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:13
4565 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:00
2394 
加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:00
1424 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產),三星代工廠(28納米工藝投產中,18納米工藝計劃投產),以及格芯代工廠(22納米工藝投產中,12納米計劃投產)。
2018-08-02 11:35:24
4402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:28
11603 今天,Globalfoundries(簡稱GF)宣布無限期停止7nm工藝的投資研發,轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:01
2841 日前,格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發,轉而專注現有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:42
5128 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進工藝之爭,專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝,雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來,但是這對市場已經沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:36
2165 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求,確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00
495 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注,Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展,從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:12
2777 研發自適應體偏置(ABB)系列解決方案,提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工藝技術芯片上系統(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物聯網和汽車等多種高增長應用。 作為合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01
323 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58
964 據報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:51
2985 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結構;而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構,取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:20
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日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現有的密切關系上,此份協議即刻生效,以確保未來數年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:33
3457 事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比,本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:45
3340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:00
3554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:44
4274 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:59
1051 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16
658 FPGA 被稱為“萬能芯片”,是人工智能時代的“紅人”。經過十幾年的市場變革,現在很多人關注 FPGA 更多是看頭部的兩家廠商——英特爾和賽靈思。
2019-12-12 15:29:07
651 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-12 22:57:17
842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-27 14:54:38
739 近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
2020-03-11 10:54:37
713 近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度,據了解
2020-07-03 08:57:36
770 萊迪思的研發工程師幾年前就開始著手FPGA開發工藝的創新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應商
2020-07-03 14:05:43
2395 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-06 17:03:36
1984 
“FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:04
3335 ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術平臺上的第二款產品,它將為更廣泛的應用帶來 FD-SOI 工藝的優勢。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13
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Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:44
5719 行業領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:31
2338 Yulong410SE是歐比特公司推出的新- -代嵌入式處理器芯片,芯片聚焦于圖像處理、信號處理和智能控制。Yulong410SE芯片為異構多核架構(ARM+SPARC), 采用FD-SOI生產工藝
2022-06-08 15:32:52
6 機構方面表示,新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換,還將包括嵌入式非揮發性存儲器(envm)技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34
308 如今談起晶圓工藝,大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善階段的GAA,臺積電、三星、英特爾……無數廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙,不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:50
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于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化,FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化? ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:04
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,在AI時代下邊緣端設備會出現高速發展,而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖:IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發表對全球半導體產業的預測和看法
2023-11-21 17:39:11
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谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46
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本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36
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據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:23
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