HMC8038 高隔離度、硅SPDT、非反射開關(guān),0.1 GHz至6.0 GHz
數(shù)據(jù):
HMC8038產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊
優(yōu)勢和特點
- 非反射式50 ?設(shè)計
- 高隔離度: 60 dB(典型值)
- 低插入損耗: 0.8 dB(典型值)
- 高功率處理
34 dBm(通過路徑)
29 dBm(端接路徑) - 高線性度
0.1 dB壓縮(P0.1dB): 35 dBm(典型值)
輸入三階交調(diào)截點(IP3): 60 dBm(典型值)
- ESD額定值
4 kV人體模型(HBM),3A類
1.25 kV充電器模型(CDM) - 單正電源
3.3 V至5 V
1.8 V兼容控制 - 欲了解更多特性,請參考數(shù)據(jù)手冊
產(chǎn)品詳情
HMC8038是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)芯片,采用無引腳、表貼封裝。 該開關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,可實現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點。 擁有高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力,并提供針對35 dBm的0.1 dB壓縮點(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內(nèi)電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設(shè)為邏輯高電平將該開關(guān)置于全部關(guān)斷狀態(tài),其中RFC為反射式。
HMC8038的所有器件引腳均提供ESD保護(hù),包括RF接口,并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分別提供150 ns和170 ns的快速開關(guān)和RF建立時間性能。 該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
應(yīng)用
- 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 汽車遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)
- 移動無線電
- 測試設(shè)備
方框圖
