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ISO5851-Q1 ISO5851-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅動器,具有有源安全

數據:

描述

ISO5851-Q1是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增強型隔離柵極驅動器,具有2.5A的輸電端由3V至5.5V的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個互補CMOS輸入控制柵極驅動器的輸出狀態.76ns的

內置的去飽和(DESAT)故障檢測功能可識別IGBT何時處于過載狀態。當檢測到DESAT時,柵極驅動器輸出會被拉低為V EE2 電勢,從而將IGBT立即關斷。

當發生去飽和故障時,器件會通過隔離隔柵發送故障信號,以及輸入端的< span style =“text-decoration:overline”> FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態將被鎖存,可通過 RST 輸入上的低平有效脈沖復位。

如需了解所有可用封裝,請見數據表末尾的可訂購產品附錄。

<小>所有商標是其相應所有者的財產。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態條件下發生動態導通。

當發生去飽和故障時,器件會通過隔離隔柵發送故障信號,以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態將被鎖存,可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態條件下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制,這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY輸出會變為低電平;否則,該輸出為高電平。

ISO5851-Q1采用16引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝。此器件的額定工作環境溫度范圍為-40°C至125°C。

特性

  • 適用于汽車電子標準
  • 具有符合AEC-Q100標準的下列結果:
    • 器件溫度1級:-40°C至125°C的環境運行溫度范圍
    • 器件人體模型(HBM)分類等級3A
    • 器件充電器件模型(CDM)分類等級C6
  • 在V CM = 1500V時,共模瞬態抗擾度(CMTI)的最小值為100kV /μs
  • 2.5A峰值拉電流和5A峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發??出故障報警,并通過 RST 復位
  • 具有就緒(RDY)引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定(UVLO)
  • 有源輸出下拉特性,在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 3V至5.5V輸入電源電壓
  • 15V至30V輸出驅動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導體(CMOS)兼容輸入
  • 抑制短于20ns的的輸入脈沖和瞬態噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達12800V PK
  • 安全及管理認證:
    • 符合DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10):2006-12標準的8000 V PK V IOTM 和2121 V PK V IORM 增強型隔離
    • 符合UL 1577標準且長達1分鐘的5700 V RMS 隔離
    • CSA組件驗收通知5A,IEC 60950-1和IEC 60601-1終端設備標準
    • 符合EN 61010-1和EN 60950-1標準的TUV認證
    • GB4943.1-2011 CQC認證
    • 已通過UL,VDE,CQC,TUV認證并規劃進行CSA認證

應用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應應晶體管(MOSFET)驅動器:
    • 混合動力汽車(HEV)和電動車(EV)電源模塊
    • 工業電機控制驅動
    • 工業電源
    • 太陽能逆變器
    • 感應加熱

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?隔離式柵極驅動器

?
Isolation Rating (Vrms)
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
Number of Channels (#)
Power Switch
Enable/Disable Function
Output VCC/VDD (Max) (V)
Output VCC/VDD (Min) (V)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Peak Output Current (A)
Prop Delay (ns)
Prop Delay (Max) (ns)
Operating Temperature Range (C)
Package Group
ISO5851-Q1 ISO5451-Q1 ISO5452-Q1 ISO5852S-Q1
5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ?
8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ?
2121 ? ? 1420 ? ? 1420 ? ? 2121 ? ?
1 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 1 ? ?
IGBT ? ? IGBT ? ? SiCFET
IGBT ? ?
IGBT
MOSFET ? ?
N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ?
30 ? ? 30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
15 ? ? 15 ? ? 15 ? ? 15 ? ?
3 ? ? 3 ? ? 2.25 ? ? 2.25 ? ?
5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ?
5 ? ? 5 ? ? 5 ? ? 5 ? ?
76 ? ? 76 ? ? 76 ? ? 76 ? ?
110 ? ? 110 ? ? 110 ? ? 110 ? ?
-40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ?
SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 ISO5851-Q1 相關庫存

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