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CSD17581Q5A 30V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET

數據:

描述

這款采用5mm×6mm SON封裝的30V,2.9mΩ,NexFET功率MOSFET被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。

特性

  • 低Q g 和Q gd
  • 低R DS(on)
  • 低熱阻抗
  • 雪崩級
  • 無金引腳鍍層
  • 符合RoHS環保標準
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)5mm x 6mm塑料封裝

應用范圍

  • 用于網絡互聯,電信和計算系統的負載點同步降壓轉換器
  • 針對控制場效應應晶體管(FET)應用進行了優化

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD17581Q5A CSD17576Q5B CSD17577Q5A
30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ?
4.2 ? ? 2.9 ? ? 5.8 ? ?
3.4 ? ? 2 ? ? 4.2 ? ?
256 ? ? 400 ? ? 280 ? ?
20 ? ? 25 ? ? 13 ? ?
4 ? ? 5.4 ? ? 2.8 ? ?
SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ?
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
1.3 ? ? 1.4 ? ? 1.4 ? ?
123 ? ? 184 ? ? 83 ? ?
60 ? ? 100 ? ? 60 ? ?
Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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