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數據: CSD18501Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 數據表 (Rev. C)
? |
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VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
? |
CSD18501Q5A |
---|
40 ? ? |
Single ? ? |
4.3 ? ? |
3.2 ? ? |
400 ? ? |
42 ? ? |
5.9 ? ? |
SON5x6 ? ? |
20 ? ? |
1.8 ? ? |
161 ? ? |
100 ? ? |
Yes ? ? |
型號:CSD18501Q5A 封裝:VSONP8_4.9X5.75MM
品牌:TI 描述:CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
金額:¥14.32275
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