TLC372-EP 增強型產(chǎn)品 Lincmos 雙路差動比較器

描述

該器件采用LinCMOS制造？該技術(shù)由兩個獨立的電壓比較器組成，每個電壓比較器均設計為采用單電源供電。如果兩個電源之間的差異為4 V至18 V，也可以使用雙電源供電。每個器件都具有極高的輸入阻抗（通常大于10 ¹² ），允許直接與高阻抗源接口。輸出為n溝道開漏配置，可以連接以實現(xiàn)正邏輯線與關系。

TLC372具有內(nèi)部靜電放電（ESD）保護電路，并已分類為2000-使用人體模型（HBM）測試的V ESD額定值。但是，在處理此器件時應小心，因為暴露于ESD可能會導致器件參數(shù)性能下降。

TLC372的工作溫度范圍為-55°C至125°C。

特性

受控基線
- 一個裝配/測試現(xiàn)場，一個制造現(xiàn)場
-55°C至125°C的擴展溫度性能
增強的減少制造資源（DMS）支持
增強產(chǎn)品更改通知
資格譜系^（1）
ESD保護超過MIL-STD-883的2000 V，方法3015;使用機器型號超過100 V（C = 200 pF，R = 0）
單電源或雙電源供電
供電電壓范圍廣。。 .4 V至18 V
極低電源電流漏極。。 .150μA典型值，5 V
快速響應時間。。。用于TTL電平輸入的200 ns典型步驟
內(nèi)置ESD保護
高輸入阻抗。。。 10 ¹² Typ
極低的輸入偏置電流。。 .5 pA Typ
超穩(wěn)定低輸入失調(diào)電壓
最壞情況輸入條件下的輸入失調(diào)電壓變化通常為0.23μV/月，包括前30天
共模輸入電壓范圍包括接地
輸出兼容TTL，MOS和CMOS
引腳與LM393兼容

^（1）符合JEDEC和行業(yè)標準的元件認證，確保在擴展溫度范圍內(nèi)可靠運行。這包括但不限于高加速應力測試（HAST）或偏壓85/85，溫度循環(huán)，高壓釜或無偏HAST，電遷移，鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類鑒定測試不應被視為超出規(guī)定性能和環(huán)境限制使用此組件的合理性。

LinCMOS是德州儀器的商標。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?比較器

?
Number of Channels (#)
Output Type
Vs (Min) (V)
Vs (Max) (V)
Propagation Delay Time (uS)
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Max) (mA)
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA)
Rail-to-Rail
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
VICR (Max) (V)
VICR (Min) (V)
?

TLC372-EP
2 ? ?
Open Collector Open Drain ? ?
4 ? ?
16 ? ?
0.2 ? ?
5 ? ?
0.15 ? ?
0.03 ? ?
Out ? ?
N/A ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-55 to 125 ? ?
SOIC ? ?
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
15 ? ?
0 ? ?