? 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）據報道，三星電子在半導體制造領域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術，用于生產HBM（高帶寬內存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:00
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電子發燒友網站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發燒友網站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內存電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發燒友網站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內存電源解決方案同步降壓控制器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，對高性能內存的需求也日益增長。特別是高帶寬內存（HBM）和第五代雙倍數據速率同步動態隨機存取內存（DDR5）等高端DRAM產品，正受到市場的熱烈追捧。為了順應這一
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:24190 根據需求進行重新配置，而ASIC一旦制造完成，其功能就無法更改。
開發周期和成本 ：FPGA的開發周期相對較短，成本較低，適合原型驗證和小批量生產。而ASIC的開發周期長，成本較高，但大批量生產時具有
2024-02-22 09:54:36
隨著電子制造行業的快速發展，多品種、小批量生產模式逐漸成為主流。在這一背景下，貼片機作為電子制造中的關鍵設備，其應用研究顯得尤為重要。本文旨在探討基于多品種小批量生產模式下的貼片機應用，分析其特點、挑戰及應對策略，并通過實際案例加以闡述。
2024-01-19 10:20:47228 
值得關注的是，三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工，轉而轉向使用華邦生產的產品。近期，隨著 NOR flash 和 DDR3 的市場行情有所好轉，華邦與三星依然保持著緊密合作
2024-01-15 09:34:03287 DDR6和DDR5內存的區別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052849 KT6368A雙模藍牙芯片批量生產使用主機芯片測試很方便
KT6368A批量生產怎么辦？不可能用手機一個一個的去連吧，太慢了
別慌，這個問題，我們早就考慮清楚了，答案如下，分為兩個方法：
2024-01-11 12:01:00147 
使用13.5nm波長的光進行成像的EUV光刻技術已被簡歷。先進的邏輯產品依賴于它，DRAM制造商已經開始大批量生產。
2023-12-29 15:22:31172 請問ADE7763，在批量生產的時候如何校準？
2023-12-27 07:41:51
）
DDR3內存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數據線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數據線的分組
2023-12-25 13:58:55
從設計到生產，PCB小批量生產解密
2023-12-20 11:15:47348 NanoCleave? 層釋放系統，這是第一個采用EVG革命性NanoCleave技術的產品平臺。EVG850 NanoCleave系統采用紅外(IR)激光，在經過驗證的大批量制造(HVM)平臺上結合專門配制
2023-12-13 17:26:46489 
線路板生產該選大批量還是小批量？
2023-12-13 17:22:10332 三星dram的營業利潤在第三季度約增加15.9%，達到52.5億美元，市場占有率為38.9%，占據首位。三星對ai高用量產品的需求不斷增加，1alpha nm ddr5的批量生產也呈現良好勢頭。
2023-12-05 17:07:08461 
trendforce表示，第三季度三家企業的營業利潤均有所增加，由于ai話題的擴散，對高用量產品的需求保持穩定，而且在批量生產1 alpha nm ddr5以后價格也有所上升，從而使三星第三季度dram銷售額增長15.9%，約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297 
三星將從明年開始批量生產LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發的技術時，管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產工藝難度的加大，DRAM內存出現單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內存信道，糾正DRAM芯片中可能出現的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術，將ECC集成到DDR5芯片內部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
法人指出，標準型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導，臺廠在芯片制造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價庫存優勢搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車
2023-11-22 15:41:18139 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業主導，因此，中臺灣企業在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業表現出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 隨著工業界開始大批量生產下一代PoP器件，表面組裝和PoP組裝的工藝及材料標準必須隨之進行改進。
2023-11-01 09:46:08419 
DDR4和DDR3內存都有哪些區別？ 隨著計算機的日益發展，內存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內存的標準。隨著DDR4內存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉向利潤更高的DDR5生產。預計到2023年底，他們的DDR5內存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
在2023年2月在國際學會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
MCU批量生產下載程序的幾種常見方法
2023-10-24 17:22:46831 
三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram，目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度。”另外，三星正在準備10納米dram的新的3d構架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道，三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術，為讀者在購買和使用內存產品時提供參考依據。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內存條的時候，經常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
覆蓋45nm至7nm，預計相關產品最早于2024年下半年獲得訂單，2025年將進入大批量生產階段。 ? 什么是硅光子技術 ? 硅光子技術用激光束代替電子信號傳輸數據，是一種基于硅光子學的低成本、高速的光通信技術。英特爾實驗室通過混合硅激光
2023-09-19 01:27:001662 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產能，而今年以來這一減產主要針對DDR4。業界普遍預期，三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產舉措可能會導致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內存指標。
2023-09-15 14:49:462497 
9月12日，據《韓國經濟日報》報導，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內存芯片供應協議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現有合同價格上調10%-20％。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。
2023-09-14 10:56:18206 辰顯光電TFT基Micro-LED生產線面積約53畝，生產線均采用自主設計，引進多臺“第一套”量產設備。該項目計劃在2024年底實現大批量生產，生產線將最先配置大型商業展示領域。
2023-09-13 10:36:04348 2022年第四季度DRAM行業營收環比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內存價格環比下降23-28%，DDR5內存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術，生產ERP開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
內存芯片在驅動ic市場和ic技術發展方面發揮了重要作用。市場上兩個主要的內存產品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
我們都知道3C電子產品，如：手機、筆記本電腦、平板、電子手表等等，通常都會是大批量生產的，并且在生產的過程中也會使用到大量的PCB板。那么，你是否知道大批量生產PCB板是如何實現品質溯源
2023-08-25 15:02:26667 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關鍵參數的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內存。DDR5（第五代雙倍數據率）和DDR4（第四代雙倍數據率）是兩種不同規格的內存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內存設備：
?雙倍數據速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數據速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
隨著5G的發展，我們完全致力于與領先的制造商合作，開發創新的測試和測量方法，這些方法將支持實現其令人興奮的希望所需的龐大基礎架構。這是要解決的3個挑戰。
2023-08-01 16:38:49316 隨著制程工藝的進步，DRAM內存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設備實在太貴，現在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內存有望實現單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
1. 傳三星3 納米工藝平臺第三款產品投片 ? 外媒報道，盡管受NAND和DRAM市場拖累，三星電子業績暴跌，但該公司已開始生產其第三個3nm芯片設計，產量穩定。根據該公司二季度報告，當季三星
2023-07-31 10:56:44480 DDR是運行內存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內存具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR內存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發燒友網站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術大批量生產芯片，但沒有無晶圓廠芯片設計商證實其產品使用了該節點。
2023-07-19 17:13:331010 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
臺積電董事長魏哲家近日在股東大會上表示：“臺積電先進工程在南京批量生產3納米工程后，將致力于擴充生產能力。目前正在建設2納米工廠，預計2025年批量生產。”他首次表示，1.4納米工程的下一代也將在
2023-06-27 09:36:58400 本設計筆記顯示了用于工作站和服務器的高速內存系統的雙倍數據速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調制解調器電源，電路產生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
和 DQS Gate Training
?DDR3 最快速率達 800 Mbps
三、實驗設計
a. 安裝 DDR3 IP 核
PDS 安裝后，需手動添加 DDR3 IP，請按以下步驟完成：
（1
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供應XPD320B 20w協議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協議，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應XPD319BP18 三星18w快充協議芯片支持三星afc快充協議-一級代理富滿，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應XPD318BP25 三星25w充電器協議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
高性價比。全新LUT5結構，集成RAM、DSP、ADC、SERDES、DDR3等豐富的片上資源，支持多種標準IO，LVDS、MIPI接口等，廣泛應用于工業控制、通信、消費類等領域，是大批量、成本敏感型項目的理想選擇。
2023-05-25 14:30:282217 
S32G3開發板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 開發板簡介
MES50HP 開發板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
u-boot 自動啟動延遲 = -2 OK（在 imx8mm_evk.k 中） 但我不想 u-boot 寫入串行，我怎樣才能用 yocto 永久實現這個？2 - 靜默內核如何使用 quiet args（始終使用 Yocto）和永久（用于批量生產）設置 bootargs。
2023-04-20 06:31:26
傳統意義上的機械層面“多合一”——將電機+電控+齒輪傳動系統等集于一體早已不是什么新聞了，Mode 3甚至早已實現大批量生產。
2023-04-11 09:54:18677 DDR內存1代已經淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
TRUMPF（通快）的目標是采用最先進的大批量生產工藝制造短波紅外（SWIR）VCSEL，實現穩定可靠且性能卓越的產品。
2023-04-04 10:49:161454 我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
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