電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,近期業(yè)界傳出消息稱,消費(fèi)端庫(kù)存比預(yù)期多,IC設(shè)計(jì)業(yè)近期恐難扭轉(zhuǎn)劣勢(shì),今年第三季度恐出現(xiàn)罕見(jiàn)的“旺季不旺”的景象,特別是與手機(jī)消費(fèi)應(yīng)用端緊密關(guān)聯(lián)、營(yíng)收占比超過(guò)
2023-04-26 09:14:13
1420 、深圳成功舉辦。在此次研討會(huì)上,思爾芯副總裁陳正國(guó)發(fā)表了精彩演講。他強(qiáng)調(diào):“大模型算力芯片設(shè)計(jì)往往呈現(xiàn)出幾個(gè)特征,多核架構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)模更龐大,內(nèi)存帶寬與內(nèi)存容量需求更高、
2024-03-21 08:22:19
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內(nèi)存泄漏問(wèn)題只有在使用堆內(nèi)存的時(shí)候才會(huì)出現(xiàn),棧內(nèi)存不存在內(nèi)存泄漏問(wèn)題,因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存會(huì)自動(dòng)分配和釋放。C語(yǔ)言代碼中堆內(nèi)存的申請(qǐng)函數(shù)是malloc。
2024-03-19 11:38:15
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來(lái)源:Ambarella安霸 何小林 近年來(lái),人工智能應(yīng)用正經(jīng)歷一輪快速的發(fā)展與普及,而以ChatGPT等先進(jìn)的大模型技術(shù)在此過(guò)程中起到了關(guān)鍵作用。這些模型對(duì)計(jì)算能力的需求不斷攀升,催生了AI芯片
2024-03-06 19:51:38
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請(qǐng)問(wèn)各位,我們?cè)瓉?lái)想用AD7760來(lái)實(shí)現(xiàn)采集功能,但多次測(cè)試后發(fā)現(xiàn),AD7760的功能并不能滿足我們的需求,請(qǐng)問(wèn)一下,那些芯片可以代替AD7760。
我們的需求:
1、24位分辨率;
2、用多器件
2024-03-06 06:00:06
站群服務(wù)器的內(nèi)存需求取決于網(wǎng)站的數(shù)量和流量,以及服務(wù)器需要運(yùn)行的應(yīng)用和服務(wù)。RAKsmart小編為您整理發(fā)布站群服務(wù)器需要多大內(nèi)存以及站群服務(wù)器內(nèi)存需求的考慮因素。
2024-03-04 09:48:08
131 產(chǎn)品概述 IBM Rational DOORS可實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的全生命周期需求管理,覆蓋從需求、到設(shè)計(jì)以及測(cè)試階段,是一款被廣泛使用的企業(yè)級(jí)專業(yè)
2024-02-29 15:48:51
服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條的區(qū)別? 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條是計(jì)算機(jī)中常見(jiàn)的兩種內(nèi)存設(shè)備。它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用方面存在一些顯著的區(qū)別。 1.物理特性 普通內(nèi)存條通常采用DIMM封裝形式,而服務(wù)器
2024-02-19 10:19:58
466 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè),DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步,DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:35
232 究其原因,該公司解釋為2023年電子元件行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇,導(dǎo)致主要產(chǎn)品售價(jià)降低;同時(shí),東晶電子還準(zhǔn)備對(duì)存貨跌價(jià)預(yù)備金進(jìn)行大約2,700萬(wàn)元到3,700萬(wàn)元的預(yù)計(jì)。
2024-01-31 09:45:57
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近日,臺(tái)積電在法人說(shuō)明會(huì)上表示,由于人工智能(AI)芯片先進(jìn)封裝需求持續(xù)強(qiáng)勁,目前產(chǎn)能無(wú)法滿足客戶的需求,供不應(yīng)求的狀況可能延續(xù)到2025年。為了應(yīng)對(duì)這一需求,臺(tái)積電今年將持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
2024-01-22 15:59:49
331 系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存都是計(jì)算機(jī)中重要的概念,它們?cè)谟?jì)算機(jī)的存儲(chǔ)和運(yùn)行方面起著不可或缺的作用。雖然它們與計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)和運(yùn)行息息相關(guān),但是它們具有不同的功能和實(shí)現(xiàn)方式。接下來(lái)我將詳細(xì)介紹系統(tǒng)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存
2024-01-15 16:32:25
461 CMD184:卓越的寬帶GaN MMIC功率放大器芯片,滿足各種高端應(yīng)用需求華灃恒霖電子,作為業(yè)界領(lǐng)先的專業(yè)分銷商,深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長(zhǎng)。今天,我們非常
2024-01-14 16:53:48
內(nèi)存管理子系統(tǒng)可能是linux內(nèi)核中最為復(fù)雜的一個(gè)子系統(tǒng),其支持的功能需求眾多,如頁(yè)面映射、頁(yè)面分配、頁(yè)面回收、頁(yè)面交換、冷熱頁(yè)面、緊急頁(yè)面、頁(yè)面碎片管理、頁(yè)面緩存、頁(yè)面統(tǒng)計(jì)等,而且對(duì)性能也有很高
2024-01-04 09:24:37
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由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過(guò)下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開(kāi)始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩(原 IDT)三家廠商。
2024-01-02 10:36:52
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據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片,這也進(jìn)一步說(shuō)明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04
229 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
內(nèi)存溢出與內(nèi)存泄漏:定義、區(qū)別與解決方案? 內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏是計(jì)算機(jī)科學(xué)中常見(jiàn)的問(wèn)題,在開(kāi)發(fā)和調(diào)試過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到。本文將詳細(xì)介紹內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏的定義、區(qū)別以及解決方案。 一、內(nèi)存溢出的定義
2023-12-19 14:10:12
880 IBM 的新型模擬內(nèi)存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30
268 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48
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JVM(Java虛擬機(jī))是Java程序的運(yùn)行平臺(tái),它負(fù)責(zé)將Java程序轉(zhuǎn)換成機(jī)器碼并在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行。在JVM中,內(nèi)存模型和內(nèi)存結(jié)構(gòu)是兩個(gè)重要的概念,本文將詳細(xì)介紹它們。 一、JVM內(nèi)存模型 JVM
2023-12-05 11:08:39
320 在Java應(yīng)用程序中,JVM(Java虛擬機(jī))內(nèi)存溢出是指Java應(yīng)用程序試圖分配的內(nèi)存超過(guò)了JVM所允許的最大內(nèi)存大小,導(dǎo)致程序無(wú)法正常執(zhí)行。內(nèi)存溢出通常是由以下幾個(gè)原因引起的:內(nèi)存泄漏、對(duì)象大小
2023-12-05 11:05:52
475 為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40
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aipc為了提高整體性能,需要更多的帶寬需要的內(nèi)存,所以aipc ddr5一代反復(fù)滲透率的增加,加快速度更高的ddr5內(nèi)存可以增加的需要,因此,ckd芯片的加快,ckd未來(lái)更多的羊可以提高芯片的全部需求。
2023-11-23 14:49:47
493 Java內(nèi)存溢出(Memory overflow)是指Java虛擬機(jī)(JVM)中的堆內(nèi)存無(wú)法滿足對(duì)象分配的需求,導(dǎo)致程序拋出OutOfMemoryError異常。內(nèi)存溢出是Java開(kāi)發(fā)
2023-11-23 14:46:07
537 經(jīng)歷漫長(zhǎng)的下行周期之后,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格止跌,部分型號(hào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈,該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
2023-11-14 10:47:57
617 內(nèi)存池的定義 1.池化技術(shù) 池 是在計(jì)算機(jī)技術(shù)中經(jīng)常使用的一種設(shè)計(jì)模式,其內(nèi)涵在于:將程序中需要經(jīng)常使用的核心資源 先申請(qǐng)出來(lái),放到一個(gè)池內(nèi),由程序自己管理,這樣可以提高資源的使用效率,也可以保證
2023-11-13 15:23:11
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作為 C++ 程序員,內(nèi)存泄露始終是懸在頭上的一顆炸彈。在過(guò)去幾年的 C++ 開(kāi)發(fā)過(guò)程中,由于我們采用了一些技術(shù),我們的程序發(fā)生內(nèi)存泄露的情況屈指可數(shù)。今天就在這里向大家做一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。 內(nèi)存
2023-11-13 14:13:25
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造輪子內(nèi)存池原因引入 作為C/C++程序員, 相較JAVA程序員的一個(gè)重大特征是我們可以直接訪問(wèn)內(nèi)存, 自己管理內(nèi)存, 這個(gè)可以說(shuō)是我們的特色, 也是我們的苦楚了. java可以有虛擬機(jī)幫助管理內(nèi)存
2023-11-13 11:51:42
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分配需求,如下圖所示: 內(nèi)存外部碎片導(dǎo)致實(shí)際占用物理頁(yè)不多,但是已無(wú)法申請(qǐng)>=4個(gè)頁(yè)連續(xù)內(nèi)存,理想當(dāng)中我們希望內(nèi)存沒(méi)有外部碎片,如下圖所示: 內(nèi)核并未為此目標(biāo)設(shè)計(jì)新的內(nèi)存分配算法(伙伴系統(tǒng)足夠簡(jiǎn)單和高效),其選擇在
2023-11-11 11:17:55
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為什么要用內(nèi)存池 為什么要用內(nèi)存池?首先,在7 * 24h的服務(wù)器中如果不使用內(nèi)存池,而使用malloc和free,那么就非常容易產(chǎn)生內(nèi)存碎片,早晚都會(huì)申請(qǐng)內(nèi)存失敗;并且在比較復(fù)雜的代碼或者繼承
2023-11-10 17:19:26
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1. 內(nèi)存管理功能問(wèn)題 由于C++語(yǔ)言對(duì)內(nèi)存有主動(dòng)控制權(quán),內(nèi)存使用靈活和效率高,但代價(jià)是不小心使用就會(huì)導(dǎo)致以下內(nèi)存錯(cuò)誤: ? memory overrun:寫(xiě)內(nèi)存越界 ? double free
2023-11-10 15:29:11
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內(nèi)存泄漏原因
內(nèi)存泄漏在C/C++這種不帶GC(Garbage Collection)的語(yǔ)言里,是一個(gè)經(jīng)常發(fā)生的問(wèn)題。因?yàn)闆](méi)有GC,所以分配的
內(nèi)存需要程序員自己調(diào)用釋放。
內(nèi)存泄漏的根本原因是程序?qū)τ?/div>
2023-11-10 15:06:53
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一、Linux內(nèi)存管理概述 Linux內(nèi)存管理是指對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存的分配、釋放、映射、管理、交換、壓縮等一系列操作的管理。在Linux中,內(nèi)存被劃分為多個(gè)區(qū)域,每個(gè)區(qū)域有不同的作用,包括內(nèi)核空間、用戶空間
2023-11-10 14:58:37
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1. 內(nèi)存溢出 內(nèi)存溢出 OOM (out of memory),是指程序在申請(qǐng)內(nèi)存時(shí),沒(méi)有足夠的內(nèi)存空間供其使用,出現(xiàn)out of memory;比如申請(qǐng)了一個(gè)int,但給它存了long才能存下
2023-11-10 11:04:41
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需求方面,2023下半年移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash閃存(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo),短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季度合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。
2023-11-09 16:15:27
336 本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高并發(fā)內(nèi)存池,參考了Google的開(kāi)源項(xiàng)目tcmalloc實(shí)現(xiàn)的簡(jiǎn)易版;其功能就是實(shí)現(xiàn)高效的多線程內(nèi)存管理。由功能可知,高并發(fā)指的是高效的多線程,而內(nèi)存池則是實(shí)現(xiàn)內(nèi)存管理的。 內(nèi)存
2023-11-09 11:16:57
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業(yè)界人士認(rèn)為,最近手機(jī)應(yīng)用的需求表現(xiàn)確實(shí)比筆記本電腦、電視等應(yīng)用好。進(jìn)入明年,上半年通常是淡季,第2季可能會(huì)開(kāi)始逐漸加溫,評(píng)估明年下半年旺季的手機(jī)供應(yīng)鏈表現(xiàn),應(yīng)當(dāng)會(huì)優(yōu)于今年下半與明年上半。
2023-11-06 16:22:24
286 關(guān)于內(nèi)存,從軟件的角度去查看,其實(shí)作為一個(gè)軟件程序員,大多數(shù)對(duì)這個(gè)維度的接觸還是蠻多的。linux中有個(gè)free命令,其就是查看系統(tǒng)內(nèi)存的情況。 free命令的選項(xiàng)也比較簡(jiǎn)單,常用的參數(shù)命令如下
2023-10-30 17:41:28
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JavaScript 代碼中常見(jiàn)的內(nèi)存泄漏的常見(jiàn)來(lái)源: 研究內(nèi)存泄漏問(wèn)題就相當(dāng)于尋找符合垃圾回收機(jī)制的編程方式,有效避免對(duì)象引用的問(wèn)題。
2023-10-27 11:30:48
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內(nèi)存分頁(yè) 分段的好處是能產(chǎn)生連續(xù)的內(nèi)存空間,但是會(huì)出現(xiàn)大量內(nèi)存碎片與內(nèi)存交換效率低的問(wèn)題 先思考一下怎么解決這兩個(gè)問(wèn)題,內(nèi)存碎片是由多個(gè)不連續(xù)的小物理內(nèi)存空間造成,如果把這些不連續(xù)的小物理內(nèi)存
2023-10-09 16:57:20
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首先,內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大,除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外:例如,將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存,將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁(yè)面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€(gè)位置(假設(shè)16KiB的頁(yè)面級(jí)映射)。
2023-10-09 16:46:20
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內(nèi)存分段 程序包含若干個(gè)邏輯分段,如可由代碼段、數(shù)據(jù)段、棧段、堆段組成,每個(gè)分段都有不同的屬性,所以內(nèi)存以分段的形式把這些段分離出來(lái)進(jìn)行管理 在內(nèi)存分段方式下,虛擬地址和物理地址是如何映射的? 分段
2023-10-09 16:28:25
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什么是內(nèi)存 我們想準(zhǔn)備運(yùn)行程序進(jìn)程需要經(jīng)過(guò)那幾個(gè)步驟,這里猜測(cè)一下。 首先要去申請(qǐng)內(nèi)存,操作系統(tǒng)根據(jù)現(xiàn)在剩余的地毯空間與你地毯的規(guī)模劃分一塊相應(yīng)大小的內(nèi)存給你,接著你就可以愉快的運(yùn)行程序進(jìn)程
2023-10-09 16:23:42
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內(nèi)存占用分析 每顆芯片在出廠時(shí),其bootrom就已經(jīng)固化在芯片內(nèi)部,假設(shè)bootrom的地址是0x0,即上電后,會(huì)從0x0地址處開(kāi)始運(yùn)行程序。 在啟動(dòng)RISC-VLinux之前,需要先運(yùn)行
2023-10-08 10:38:58
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什么是內(nèi)存碎片? 內(nèi)存碎片在Linux很早的時(shí)候就已經(jīng)出現(xiàn)了,了解早期內(nèi)存碎片產(chǎn)生的歷史,有利于我們對(duì)它的理解。 假設(shè)現(xiàn)在有一塊32MB大小的內(nèi)存,一開(kāi)始操作系統(tǒng)使用了最小的一塊——4MB大小,剩余
2023-10-08 10:12:38
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A53專用 + 4GB TPU專用 + 4GB VPP/VPU專用。
設(shè)備內(nèi)存(Device Memory)和系統(tǒng)內(nèi)存(Host Memory): 根據(jù)BM168x產(chǎn)品類型或工作模式的不同,設(shè)備內(nèi)存
2023-09-19 07:47:54
malloc在申請(qǐng)內(nèi)存的時(shí)候,需要指定內(nèi)存的大小,申請(qǐng)成功則返回這塊內(nèi)存的地址,但是free的時(shí)候,只需要指定釋放的內(nèi)存的起始地址,系統(tǒng)就知道從這個(gè)地址開(kāi)始需要釋放多少個(gè)字節(jié)。
2023-09-15 17:05:58
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芯片的需求定義主要包括市場(chǎng)需求文檔(Market Requirements Document,MRD)和產(chǎn)品需求文檔(Product Requirements Document,PRD)。 市場(chǎng)需求
2023-09-14 17:02:46
891 9月12日,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機(jī)制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20%。三星電子預(yù)計(jì),從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18
206 PLC的處理速度和響應(yīng)時(shí)間,以滿足實(shí)時(shí)性需求。 (2)硬件成本和體積:PLC通常是嵌入式系統(tǒng),在設(shè)計(jì)中需要考慮硬件成本和尺寸的限制。較小的內(nèi)存容量可以降低存儲(chǔ)器芯片的成本,并減小整體PLC設(shè)備的尺寸。 (3)控制邏輯復(fù)雜性:雖然PLC負(fù)責(zé)
2023-09-12 09:55:02
349 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍!
2023-09-04 14:28:11
264 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:09
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后--并使我的程序崩潰?
·對(duì)于給定的指針,它是否仍然有效,它被分配到哪里,以及內(nèi)存塊有多大?
·我的程序是否正在釋放或釋放無(wú)效指針?
·我的讀取或寫(xiě)入是否超出了分配和覆蓋內(nèi)存的末尾?
如果是,在哪里?
回答這些問(wèn)題可以解決許多無(wú)法解釋的崩潰。
從列出的問(wèn)題類型中確保代碼清晰也可以提高軟件質(zhì)量。
2023-08-28 08:05:03
對(duì)硅晶圓產(chǎn)業(yè)需求不振的原因,業(yè)內(nèi)人士指出,主要原因是家電需求不振、ic設(shè)計(jì)的報(bào)酬,各晶片廠,對(duì)于第三季度前途沒(méi)有普遍保守旺季效應(yīng)明顯,在存儲(chǔ)器工廠減產(chǎn)周期,各大晶圓廠,存儲(chǔ)器工廠的庫(kù)存持續(xù)刷新了歷史最高紀(jì)錄。
2023-08-21 11:41:30
322 TPU內(nèi)存(一)
2023-08-18 11:29:26
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TPU內(nèi)存(二)
2023-08-18 11:29:25
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NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片平臺(tái),全球首發(fā)采用HBM3e高帶寬內(nèi)存,可滿足世界上最復(fù)雜的生成式AI負(fù)載需求。
2023-08-10 09:37:12
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編寫(xiě)有效的代碼需要了解堆棧和堆內(nèi)存,這使其成為學(xué)習(xí)編程的重要組成部分。不僅如此,新程序員或職場(chǎng)老手都應(yīng)該完全熟悉堆棧內(nèi)存和堆內(nèi)存之間的區(qū)別,以便編寫(xiě)有效且優(yōu)化的代碼。
2023-08-07 12:23:00
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解決問(wèn)題:malloc在申請(qǐng)內(nèi)存的時(shí)候,內(nèi)存碎片問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致原本內(nèi)存大小足夠,卻申請(qǐng)大內(nèi)存失敗。
2023-08-06 16:58:02
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全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨供過(guò)于求,存儲(chǔ)模組價(jià)格跌至谷底。市場(chǎng)寄望生成式人工智能(Generative AI)帶動(dòng)存儲(chǔ)需求回溫,但分析師直言,AI應(yīng)用在整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)只占很小比例,其他非AI需求還是很差,光靠AI難以解決跌價(jià)問(wèn)題。
2023-08-03 09:52:57
193 LX Semicon因主力產(chǎn)品顯示驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)需求減少,今年第二季度業(yè)績(jī)不佳。但下半年電視制造商的庫(kù)存水平逐漸健全,智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入新產(chǎn)品上市的旺季,業(yè)績(jī)有望增長(zhǎng)。
2023-07-30 15:25:54
351 內(nèi)存碎片 在看 FreeRTOS的內(nèi)存分配方法之前我們先來(lái)看一下什么叫做內(nèi)存碎片,看名字就知道是小塊的、碎片化的內(nèi)存。那么內(nèi)存碎片是怎么來(lái)的呢?內(nèi)存碎片是伴隨著內(nèi)存申請(qǐng)和釋放而來(lái)的,如圖所示
2023-07-30 10:29:05
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DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:06
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Linux 內(nèi)存是后臺(tái)開(kāi)發(fā)人員,需要深入了解的計(jì)算機(jī)資源。合理的使用內(nèi)存,有助于提升機(jī)器的性能和穩(wěn)定性。本文主要介紹**Linu****x 內(nèi)存組織結(jié)構(gòu)和頁(yè)面布局,內(nèi)存碎片產(chǎn)生原因和優(yōu)化算法
2023-07-25 14:43:45
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華為日前展出了基于計(jì)算、存儲(chǔ)能力的EDA解決方案。行業(yè)認(rèn)為,算力芯片復(fù)雜度和數(shù)量需求急劇上升,變相提升了EDA需求,進(jìn)而對(duì)集群計(jì)算能力提出進(jìn)一步要求。
2023-07-25 09:47:25
715 1. Rambus:專注內(nèi)存接口芯片的創(chuàng)新廠商 1.1. 內(nèi)存接口芯片專家,兩大業(yè)務(wù)條線產(chǎn)品矩陣完善 Rambus 是全球領(lǐng)先的互連類芯片與硅 IP 解決方案提供商,面向人工智能、數(shù)據(jù)中 心、汽車
2023-07-06 11:03:07
783 如果我們將兩個(gè)4G內(nèi)存插入內(nèi)存插槽,得到的內(nèi)存地址空間是0到8G嗎?是不是0到4G是第一根內(nèi)存,4到8G是第二根內(nèi)存呢?實(shí)際情況相差甚遠(yuǎn),內(nèi)存在物理地址空間的映射是分散的。
2023-06-30 15:59:27
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各位老鐵,有沒(méi)有M451系列芯片IAP或ISP的例子或文檔?
比如M451芯片,通過(guò)RS232讀到要更新的程序,然后寫(xiě)入到M451 APROM中,再指定程序從APROM運(yùn)行。
2023-06-25 06:22:38
大家好,我是雜燴君。 C 語(yǔ)言內(nèi)存問(wèn)題,難在于定位,定位到了就好解決了。 這篇筆記我們來(lái)聊聊踩內(nèi)存。踩內(nèi)存,通過(guò)字面理解即可。本來(lái)是操作這一塊內(nèi)存,因?yàn)樵O(shè)計(jì)失誤操作到了相鄰內(nèi)存,篡改了相鄰內(nèi)存的數(shù)據(jù)
2023-06-22 11:37:00
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一、如何控制單片機(jī)? 單片機(jī)的內(nèi)存映射圖解析 這里以STM32F429芯片為例,講解下單片機(jī)芯片內(nèi)存映射圖。從此圖中可以看到芯片的外設(shè)被分配了512M的空間,然而真正的外設(shè)其實(shí)沒(méi)有使用到512M
2023-06-22 10:33:00
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只有在堆內(nèi)存里面才會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏的問(wèn)題,在棧內(nèi)存中不會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏。因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存在自動(dòng)分配空間之后,還會(huì)自動(dòng)釋放空間。 什么是堆內(nèi)存?存儲(chǔ)方式是什么樣的呢? 首先我們先來(lái)介紹一下堆內(nèi)存在 C 代碼
2023-06-22 10:29:00
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一、如何控制單片機(jī)? 單片機(jī)的內(nèi)存映射圖解析 這里以STM32F429芯片為例,講解下單片機(jī)芯片內(nèi)存映射圖。從此圖中可以看到芯片的外設(shè)被分配了512M的空間,然而真正的外設(shè)其實(shí)沒(méi)有使用到512M
2023-06-22 10:18:00
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本文介紹 Armv8-A 架構(gòu)的內(nèi)存序模型,并介紹 arm 的各種內(nèi)存屏障。本文還會(huì)指出一些需要明確內(nèi)存保序的場(chǎng)景,并指明如何使用內(nèi)存屏障以讓程序運(yùn)行正確。
2023-06-15 18:19:37
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只有在堆內(nèi)存里面才會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏的問(wèn)題,在棧內(nèi)存中不會(huì)發(fā)生內(nèi)存泄漏。因?yàn)闂?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存在自動(dòng)分配空間之后,還會(huì)自動(dòng)釋放空間。
2023-06-11 17:31:45
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我正在使用 ESP8266 并想計(jì)算所有可用內(nèi)存的校驗(yàn)和或哈希值。我試圖自己解決這個(gè)問(wèn)題,但沒(méi)有成功。因此,我希望我能在這里得到一些幫助或提示。在下文中,我嘗試描述到目前為止我嘗試過(guò)的內(nèi)容。
首先
2023-06-07 06:43:39
板載128Mbyte內(nèi)存或256M內(nèi)存 2. 網(wǎng)絡(luò)傳輸高速,實(shí)時(shí),確定 3. 高速光纖網(wǎng)絡(luò)波特率可達(dá)2.125G 4. 低延遲率:節(jié)點(diǎn)間百納秒級(jí)延遲
2023-06-02 15:15:37
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:38
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BGA芯片X-ray檢測(cè)設(shè)備是電子行業(yè)中最重要的檢測(cè)設(shè)備,它主要用于檢測(cè)BGA芯片的焊接質(zhì)量,從而保證電子產(chǎn)品的質(zhì)量。BGA芯片X-ray檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)需求十分廣泛,具體包括: 一、檢測(cè)質(zhì)量需求 隨著
2023-05-22 17:22:53
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芯片制造商的投資放緩是盈利低迷的主要原因。內(nèi)存芯片制造商尤其受到智能手機(jī)和服務(wù)器需求下滑以及價(jià)格暴跌的沉重打擊。4 月下旬,韓國(guó)內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士下調(diào)了今年內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。Lam Research 預(yù)計(jì)今年芯片制造設(shè)備市場(chǎng)將萎縮 25% 或更多,超過(guò)此前預(yù)計(jì)的約 20% 的降幅。
2023-05-22 14:17:23
352 共享內(nèi)存是使用__shared__內(nèi)存空間說(shuō)明符分配的。
2023-05-19 15:32:52
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電腦U盤(pán)內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固用底部填充膠案例由漢思新材料提供涉及部件:內(nèi)存芯片與PCB板的粘接加固問(wèn)題點(diǎn):超聲波熔接外殼后功能測(cè)試不良15%應(yīng)用產(chǎn)品:HS710底填膠方案亮點(diǎn):運(yùn)用HS710
2023-04-25 16:44:32
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得益于ChatGPT等AI產(chǎn)品對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求,三星、SK海力士的高帶寬內(nèi)存接單量大增。在AI產(chǎn)品的推動(dòng)下,“超大存儲(chǔ)”已經(jīng)成為手機(jī)行業(yè)的新賽道。
2023-04-24 09:06:28
449 常用內(nèi)存管理需求:靜態(tài)分配的變量(RAM),任務(wù)堆棧,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器管理malloc/free
2023-04-19 11:20:46
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。然而,我很難找到描述 LPC55S69 的兩個(gè)內(nèi)核如何訪問(wèn)芯片上的靜態(tài) RAM 和閃存資源的應(yīng)用說(shuō)明或技術(shù)規(guī)范。NXP 是否提供此類應(yīng)用說(shuō)明?我在哪里可以找到這個(gè)?我用各種搜索短語(yǔ)搜索了論壇,例如“雙關(guān)心內(nèi)存
2023-04-12 08:54:14
系統(tǒng)在啟動(dòng)(空閑)后處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)應(yīng)該不會(huì)有太大變化。對(duì)于我的測(cè)試,WiFi 已啟用并連接到接入點(diǎn),但沒(méi)有發(fā)生明顯的流量。我一直看到,較舊的 ESP32 Rev 3 芯片系統(tǒng)顯示的可用內(nèi)存比
2023-04-12 06:38:05
用途。” 這似乎暗示相關(guān)的引腳(SD_DATA0-3、SD_CLK、GPIO16)被嵌入式PSRAM使用,不能連接到外部閃存或emmc。任何人都可以確認(rèn)是否是這種情況?但是如果不使用這些 PIN,外部閃存將無(wú)法將內(nèi)存映射到 cpu 內(nèi)存空間。
2023-04-12 06:01:59
評(píng)論